微间隙气体放电击穿过程分析

• 作者: 刘绪光 孙岩洲 王林华 董克亮
• 来源期刊: 电子器件
• 学科: 工学
• 关键词: 微间隙 Paschen曲线 离子增强效应 场发射 γ系数
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 页码范围: 1197-1202
• 页数: 6页
• 分类号: TN13
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-9490.2020.06.002

摘要

为了对微米尺度气体间隙下放电击穿过程进一步研究,在大气压空气环境下进行了电极间距为1μm～100μm的直流击穿实验.绘制了击穿电压曲线与Paschen曲线对比,针对1μm～10μm击穿电压偏离Paschen曲线进行分析.通过推导计算,得出在1μm～10μm时随着外加电压的增加,阴极较高的离子数密度将会产生较高的附加电场,附加电场随着电极间距的增加而减小,从而在微间距下存在较强的离子增强效应;最后,结合离子增强效应二次系数γ′与Townsend二次系数γ的比值,γ′/γ随电极间距d的变化曲线得出,1μm～5μm时,放电过程是由离子增强效应场发射主导发生,且随着间距增大离子增强效应逐渐减弱.在10μm～100μm时,击穿电压的变化基本符合Paschen曲线,其放电过程可以用汤森雪崩理论解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙岩洲		52	306	9.0	16.0
2	王林华		1	0	0.0	0.0
3	董克亮		2	0	0.0	0.0
4	刘绪光		2	0	0.0	0.0