低磁耦合源极负反馈电感可帮助28GHz CMOS下变频混频器打入5G市场

• 作者: Changyeol Kim Ilku Nam Ju Ho Son Minsu Kim Ockgoo Lee Yangji Jeon
• 来源期刊: 磁性元件与电源
• 学科: 工学
• 关键词: CMOS 毫米波 混频器 5G应用
• 年，卷（期）: 2020,（8）
• 页码范围: 142-145
• 页数: 4页
• 分类号: TN7

摘要

本文将介绍一种采用了微分(derivative)叠加线性化技术的28GHz CMOS毫米波下变频混频器,以及我们为5G蜂窝通信系统所设计的低耦合源负反馈电感器,以此来改善下变频混频器的线性性能。在的情况下,本文所提出的低磁耦合源极负反馈电感器可避免原理图设计(不考虑磁耦合)与布局设计中(考虑了源极负反馈电感器引起的磁耦合效应)之间的线性退化差距。带有本地振荡器缓冲器的下变频混频器是通过采用65nm CMOS技术实现,并且IV电源电压时的电流为21m A。在26.5-29.5GHz的频率范围内,它的增益为10.1dB,噪声系数低于10dB,三阶输出截取点为19.3dBm。