基于第三代半导体的压电电子学和压电光电子学器件

• 作者: 朱来攀 王中林 翟俊宜
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 压电电子学 压电光电子学 第三代半导体 压电势 压电极化电荷
• 年，卷（期）: 2020,（25）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 2662-2677
• 页数: 16页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/TB-2019-0713

摘要

当一个均匀的应变施加到非中心对称的半导体单晶上时,半导体内部将产生压电势,其表面将产生静态的压电极化电荷,这种现象普遍存在于第三代半导体(如ZnO,GaN,CdS)中.应变引起的这种压电势或压电极化电荷可以静态和/或动态地调控界面电荷的输运和光电过程.通过将压电、光激发和半导体特性进行耦合,诞生了两个全新的研究领域,即压电电子学和压电光电子学.十几年来,这两个领域得到了广泛的关注,并在基础科学和器件应用方面取得了巨大的研究进展,本文对近年来这两个领域在器件应用方面的实验进展情况做了简要综述,并对这两个学科的未来发展进行了展望.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王中林	中国科学院北京纳米能源与系统研究所	5	2	1.0	1.0
2	翟俊宜	中国科学院北京纳米能源与系统研究所	2	0	0.0	0.0
3	朱来攀	中国科学院北京纳米能源与系统研究所	1	0	0.0	0.0