N掺杂ZnO的缺陷识别与物性调控

• 作者: 叶建东 姚峥嵘 朱顺明 杜倩倩 汤琨 许钟华 顾书林
• 来源期刊: 科学通报
• 关键词: 氧化锌 氮掺杂 本征缺陷 p型掺杂 光探测器
• 年，卷（期）: 2020,（25）
• 所属期刊栏目: 评述
• 页码范围: 2708-2720
• 页数: 13页
• 语种: 中文
• DOI: 10.1360/TB-2019-0867

摘要

ZnO由于其室温下激子稳定存在,因此是一种具备高效发光性能的宽禁带半导体材料,然而,由于ZnO材料本征缺陷种类繁多、性质复杂,且缺乏合适的p型掺杂剂,其出色的光电性能一直未得到应用,近年来,越来越多的研究工作指出,ZnO的材料性质极大程度依赖于其中杂质缺陷的组成,因此对ZnO中缺陷的种类识别和调控手段的研究成为ZnO材料走向应用前待解决的重要问题.本文结合近年来的研究进展,介绍了ZnO中各类本征缺陷的性质和调控手段,指出了N掺杂ZnO体系中受主的主要来源,获得了抑制补偿施主和诱导浅受主的一系列有效方法.在此基础上,提出了等价元素-受主共掺技术,实现了ZnO纳米材料的p型掺杂及同质结LED,并进一步拓展了ZnO纳米材料应用于存储器和宽频光探测器.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱顺明		20	72	5.0	7.0
2	顾书林		46	261	9.0	14.0
3	叶建东		11	57	5.0	7.0
4	汤琨		5	8	2.0	2.0
5	姚峥嵘		1	0	0.0	0.0
6	许钟华		1	0	0.0	0.0
7	杜倩倩		1	0	0.0	0.0