基于第一性原理的二维g-AlN材料p型掺杂研究

• 作者: 刘天运 刘雪飞 肖文君
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 二维g-AlN 第一性原理 带电缺陷计算 电荷转移能级 p型掺杂 缺陷形成能
• 年，卷（期）: 2020,（12）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 2261-2267
• 页数: 7页
• 分类号: O474
• 语种: 中文

摘要

半导体材料通过掺杂实现n型和p型载流子导电在半导体器件领域具有重要意义,理论上可通过计算电荷转移能级和缺陷形成能来探索半导体材料的n型和p型掺杂效率.基于第一性原理,结合二维带电缺陷计算方法,类石墨烯氮化铝(graphene-like AlN,g-AlN)中的四种(BeAl,MgAl,CaAl,SrAl)潜在p型掺杂缺陷的结构、磁学、电学和缺陷形成能及转移能级被系统地计算.结果表明,所有缺陷体系均表现为深受主能级特性,很难为二维g-AlN提供p型载流子,它们反而会捕获g-AlN中的空穴,从而严重影响二维g-AlN材料的空穴导电率.BeAl在整个电子化学势范围内具有最小的形成能,因此更加容易掺入到g-AlN中,影响g-AlN材料的p型掺杂效率.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘雪飞		15	1	1.0	1.0
2	肖文君		33	49	4.0	5.0
3	刘天运		1	0	0.0	0.0