电介质/半导体结构样品电子束感生电流瞬态特性

• 作者: 李维勤 蒲红斌 霍志胜
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: 数值模拟 电子束感生电流 俘获 输运
• 年，卷（期）: 2020,（6）
• 所属期刊栏目: 总论
• 页码范围: 17-26
• 页数: 10页
• 字数: 6377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.69.20191543

摘要

电子束照射下电介质/半导体样品的电子束感生电流(electron beam induced current,EBIC)是其电子显微检测的重要手段.结合数值模拟和实验测量,研究了高能电子束辐照下SiO2/Si薄膜的瞬态EBIC特性.基于Rutherford模型和快二次电子模型研究电子的散射过程,基于电流连续性方程计算电荷的输运、俘获和复合过程,获得了电荷分布、EBIC和透射电流瞬态特性以及束能和束流对它们的影响.结果表明,由于电子散射效应,自由电子密度沿入射方向逐渐减小.由于二次电子出射,净电荷密度呈现近表面为正、内部为负的特性,空间电场在表面附近为正而在样品内部为负,导致一些电子输运到基底以及一些出射二次电子返回表面.SiO2与Si界面处俘获电子导致界面附近负电荷密度高于周围区域.随电子束照射样品内部净电荷密度逐渐降低,带电强度减弱.同时,负电荷逐渐向基底输运,EBIC和样品电流逐渐增大,电场强度逐渐减小.由于样品带电强度较弱,表面出射电流和透射电流随照射基本保持恒定.EBIC、透射电流及表面出射电流均随束流呈现近似正比例关系.对于本文SiO2/Si薄膜,透射电流随束能的升高逐渐增大并接近于束流值,EBIC在束能约15 keV时呈现极大值.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李维勤	西安理工大学自动化与信息工程学院	5	9	2.0	3.0
3	蒲红斌	西安理工大学自动化与信息工程学院	33	119	7.0	9.0
6	霍志胜	西安理工大学自动化与信息工程学院	5	0	0.0	0.0