斜角造型高压硅器件表面特性的光感生电流法检测

• 作者: 张少云 徐传骧 董小兵
• 来源期刊: 西安交通大学学报
• 关键词: 硅器件 表面耗尽区 光感生电流
• 年，卷（期）: 2004,（6）
• 页码范围: 623-626
• 页数: 4页
• 分类号: TN304
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-987X.2004.06.019

摘要

采用激光探针表面电荷测量系统,实现了有机/无机介质膜保护下的高压硅器件表面耗尽区展宽的测量,分析了光感生电流(OBIC)曲线与硅表面少子扩散长度、表面复合速率以及波长相关吸收系数的关系.实验和计算结果表明,He-Ne激光束由于具有较大的吸收系数(>3 200 cm-1)和适当的透射深度(≈3.1 μm),对曲线上下沿变化影响很小,测量结果可以直接反映硅表面本身的响应.小正斜角造型大功率硅整流管在反向偏置下,表面耗尽区在稳态光电导下的扩展几乎都是在低掺杂的n区进行,p区的扩展被"钉扎".表面保护不良时,OBIC曲线可直接反映出局部的电场倍增状态.对不同腐蚀时间处理的磨角造型硅表面,OBIC测量结果表明,当腐蚀时间短时,表面少子寿命较低;反之,则寿命会有所提高.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	徐传骧	西安交通大学电气工程学院	73	961	14.0	28.0
2	董小兵	西安交通大学电气工程学院	4	8	2.0	2.0
3	张少云	西安交通大学电气工程学院	3	2	1.0	1.0