基于SiC器件ISOP移相全桥变换器整流振荡抑制

• 作者: 皇甫海文 张新宇
• 来源期刊: 电力电子技术
• 关键词: 变换器 碳化硅器件 输入串联输出并联
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 变换器及PWM控制|CONVERTER AND PWM CONTROL
• 页码范围: 89-92
• 页数: 4页
• 分类号: TM46
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2020.11.024

摘要

目前地铁车辆的辅助供电系统采用集中式供电方式,供电网电压等级提高至1 500 V,由于目前全碳化硅(SiC)器件电压电流等级限制,所以采用输入串联输出并联(ISOP)的移相全桥(PSFB)拓扑来减小器件的电压应力,提高系统功率等级,但是SiC器件对于电路参数非常敏感,非常容易产生振荡,影响系统运行稳定性.分析了整流振荡产生的机理,对常规振荡抑制方法以及ISOP系统均压均流方法进行了阐述,并对此方法进行了仿真和实验验证,发现初级二极管箝位方法和次级RCD吸收方法都可以对整流振荡产生抑制,但是会严重影响效率.