拓扑绝缘体与Sinc函数型光子晶体分界面处Kerr效应和Faraday效应研究

• 作者: 王筠
• 来源期刊: 中国激光
• 关键词: 材料 拓扑绝缘体 Sinc函数型光子晶体 Kerr效应 Faraday效应
• 年，卷（期）: 2020,（10）
• 所属期刊栏目: 材料与薄膜|Materials and Thin Films
• 页码范围: 118-124
• 页数: 7页
• 分类号: O436
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL202047.1003002

摘要

应用传输矩阵法和等效介质理论,研究了拓扑绝缘体与Sinc函数型光子晶体分界面上的Kerr效应和Faraday效应,结果显示,在某些频率处,两种线极化波的反射波极化平面都可能会发生近似±π/2的旋转,其附近周期结构的等效介电常数也有突变.进一步研究还发现,透射波极化面的旋转角随频率的变化规律与周期结构(BAB)n等效磁导率随频率的变化规律类似.以上结果都说明,在拓扑绝缘体与函数型光子晶体分界面上的Kerr效应和Faraday效应与入射波频率、周期结构的介电常数和磁导率等关系紧密.