碳化硅功率器件结温提取方法研究综述

• 作者: 王长鑫 高成 黄姣英
• 来源期刊: 电子测试
• 关键词: 碳化硅 结温 综述 热敏参数
• 年，卷（期）: 2020,（11）
• 所属期刊栏目: 理论与算法
• 页码范围: 40-45
• 页数: 6页
• 字数: 5554字
• 语种: 中文

摘要

碳化硅材料由于其独特优势受到了广泛的重视.适用于硅器件的一些传统结温提取方法,在碳化硅器件中应用将会失效.因此,需要找到适用于碳化硅器件的结温提取方法.本文介绍了碳化硅的材料特性及其在功率器件中的应用.对结温提取的传统方法和新兴方法进行了归纳总结和比较分析.总结了功率半导体器件常用的热敏参数,介绍了各参数在碳化硅中的应用现状.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	黄姣英	北京航空航天大学可靠性与系统工程学院	41	128	6.0	10.0
2	高成	北京航空航天大学可靠性与系统工程学院	42	195	8.0	13.0
3	王长鑫	北京航空航天大学可靠性与系统工程学院	3	1	1.0	1.0