纳米花棒SnO2的合成

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作者：

辛旭高玉巧

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二氧化锡

纳米花棒

摘要：

二氧化锡是一种具有宽带隙为3.6 eV的n型半导体材料.由于其独特的物理和化学特性,他的形貌合成科研工作者已经针对各种应用其进行了广泛的研究.本文以SnCl4·5H2O为锡源,通过水热法成功地合成了纳米花棒的SnO2纳米材料,并XRD、SEM对合成的样品进行了表征.

内容分析

关键词云

关键词热度

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序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高玉巧	浙江师范大学含氟新材料研究所	1	0	0.0	0.0
2	辛旭	浙江师范大学含氟新材料研究所	1	0	0.0	0.0