一种基于E-FLASH工艺的低功耗全集成锁相环

• 作者: 顾绍华
• 来源期刊: 现代信息科技
• 学科: 工学
• 关键词: 锁相环 E-FLASH 相位噪声
• 年，卷（期）: 2020,（20）
• 所属期刊栏目: 电子工程
• 页码范围: 50-53
• 页数: 4页
• 分类号: TN432|TN911.8
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2020.20.013

摘要

基于国内0.13μm E-FLASH工艺,设计了一种由E-FLASH控制的锁相环芯片,为芯片提供可配置的频率源,内置LC压控振荡器、射频分频器、数字分频器、环路滤波器接口和电荷泵,实现了锁相环的全集成.芯片功耗仅为30 mA,面积仅1 mm×1.5 mm.工艺可集成于E-FLASH工艺的片上系统,能提供良好的相位噪声和抖动特性,最高输出频率可达2.4 GHz,锁定后10 kHz频偏的相位噪声优于-116 dBc/Hz.