AlOx(PI)/HfOx界面调控的阻变开关行为

• 作者: 尹彬沣 王永志 万心华 周腾
• 来源期刊: 扬州大学学报（自然科学版）
• 关键词: 氧化铪 阻变存储器 均匀性 开关比 阻变开关
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 页码范围: 35-40
• 页数: 6页
• 分类号: TN386.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.19411/j.1007-824x.2021.01.007

摘要

为了改善阻变开关层在厚度小于10 nm下的氧化铪(HfOx)基阻变存储器的电学性能,提高器件开关均匀性并增大器件开关比,在开关层中加入聚酰亚胺(polyimide,PI)薄层,采用光刻工艺制备Ti/AlOx(PI)/HfOx/Pt和Ti/HfOx/Pt结构的阻变存储器.利用扫描电子显微镜表征分析器件的电极形貌,通过电学测试分析器件的Ⅰ-Ⅴ特性和稳定性,采用线性拟合和电场模拟的方法分析Ti/PI/HfOx/Pt结构器件的阻变开关机理.结果显示,Ti/PI/HfOx/Pt结构器件无需激活过程,其开关比高达2 000,且复位均匀性优越,数据保持时间高于103 s,充分展现了 PIS HfOx与Ti电极界面调控的优势.