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摘要:
An improved global shutter pixel structure with extended output range and linearity of compensation is proposed for CMOS image sensor. The potential switching of the sample and hold capacitor bottom plate outside the array is used to solve the problem of the serious swing limitation, which will attenuate the dynamic range of the image sensor. The non-linear problem caused by the substrate bias effect in the output process of the pixel source follower is solved by using the mirror FD point negative feedback self-establishment technology outside the array. The approach proposed in this paper has been verified in a global shutter CMOS image sensor with a scale of 1024×1024 pixels. The test results show that the output range is expanded from 0.95V to 2V, and the error introduced by the nonlinearity is sharply reduced from 280mV to 0.3mV. Most importantly, the output range expansion circuit does not increase the additional pixel area and the power consumption. The power consumption of linearity correction circuit is only 23.1μW, accounting for less than 0.01% of the whole chip power consumption.
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文献信息
篇名 An Improved Global Shutter Pixel with Extended Output Range and Linearity of Compensation for CMOS Image Sensor
来源期刊 电子学报(英文) 学科
关键词
年,卷(期) 2021,(1) 所属期刊栏目 COMPUTERS AND MICROELECTRONICS
研究方向 页码范围 102-108
页数 7页 分类号
字数 语种 英文
DOI 10.1049/cje.2020.11.007
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双月刊
1022-4653
10-1284/TN
16开
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1991
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