RPD技术生长ICO∶ H薄膜及其在晶体硅异质结太阳电池中的应用

• 作者: 周忠信 陈新亮 张云龙 魏长春 赵颖 张晓丹
• 来源期刊: 太阳能学报
• 关键词: 薄膜 霍尔迁移率 透明导电氧化物 硅太阳电池 RPD
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 页码范围: 50-55
• 页数: 6页
• 分类号: TM914.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.19912/j.0254-0096.tynxb.2018-0847

摘要

通过反应等离子体沉积(RPD)技术室温下生长掺铈的氧化铟薄膜,且沉积过程中通入氢气.高迁移率可使透明导电薄膜在较低的电阻率时保持较高的近红外透过率;透明导电薄膜中较低的载流子浓度能够减少自由载流子的吸收.迁移率的大小主要由薄膜内的散射机制决定,并且受薄膜非晶结构制约.ICO∶H薄膜表面平整,在近红外长波段透过率超过80％.在氢气流量为2sccm时,薄膜获得1.34×10-3Ω·cm的最低电阻率和94cm2/Vs的高迁移率.在晶体硅异质结(SHJ)太阳电池应用中,获得了较高的短路电流密度38.44 mA/cm2,相应的转换效率为16.68％.