硅纳米线传感器灵敏度研究进展

• 作者: 方敏 闫江 魏千惠 张青竹 魏淑华 王艳蓉 张兆浩 熊恩毅 张双 张静
• 来源期刊: 微纳电子技术
• 关键词: 硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET) 一维纳米材料 传感器 灵敏度 检测限(LOD) 表面修饰
• 年，卷（期）: 2021,（3）
• 所属期刊栏目: MEMS与传感器|MEMS and Sensors
• 页码范围: 225-232,253
• 页数: 9页
• 分类号: TP212.3|TB383
• 语种: 中文
• DOI: 10.13250/j.cnki.wndz.2021.03.007

摘要

对基于一维纳米材料的硅纳米线场效应晶体管(SiNW-FET)传感器在疾病早期诊断中检测超低浓度生物标志物的优势进行了简单阐述,提出提高SiNW-FET传感器检测灵敏度的重要性和必要性.介绍了SiNW-FET传感器的工作原理、检测灵敏度和检测限(LOD).重点讨论了通过对SiNW表面修饰方法的优化、使用不同结构形状SiNW和降低传感器德拜屏蔽效应等方法提高SiNW-FET传感器的灵敏度,对各种提高灵敏度的方法和对应方法下SiNW-FET传感器的检测限或灵敏度进行了对比总结.最后,总结了提高SiNW-FET传感器灵敏度的方法和目前亟待解决的问题,并展望了其发展趋势.