高比探测率和高速石墨烯/n-GaAs复合结构的光电探测器

• 作者: 田慧军 刘巧莉 岳恒 胡安琪 郭霞
• 来源期刊: 中国光学
• 关键词: 石墨烯 光二极管 比探测率 响应速度
• 年，卷（期）: 2021,（1）
• 页码范围: 206-212
• 页数: 7页
• 分类号: TN364
• 语种: 中文
• DOI: 10.37188/CO.2020-0153

摘要

混合结构的石墨烯/半导体光电晶体管因其超高的响应度而备受关注.然而,该类光电晶体管通过源-漏电极测试得到的比探测率(D．)容易受到1/f噪声的限制.本文制备了混合结构的石墨烯/GaAs光电探测器,通过源-栅电极测得D*大约为1.82X1011 Jones,与通过源-漏电极测量相比,D'提高了约500倍.这可归因于界面上肖特基势垒对载流子俘获和释放过程的屏蔽作用.此外,探测器的上升时间和下降时间分别是4 ms和37 ms,响应速度相应地提高了2个数量级.该工作为制备高比探测率和高速的光电探测器提供了一种新的思路.