ONO反熔丝器件可编程特性研究

• 作者: 潘福跃 张明新 曹利超 刘佰清 洪根深 张海良 刘国柱
• 来源期刊: 电子与封装
• 关键词: ONO 反熔丝 击穿电压 导通电阻
• 年，卷（期）: 2021,（7）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性|Microelectronics Fabrication & Reliability
• 页码范围: 77-82
• 页数: 6页
• 分类号: O472+.4
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0715

摘要

ONO(Oxide-Nitride-Oxide)反熔丝器件具有可靠性高、抗辐射、高开关比等优异特性,一直用于抗辐射可编程逻辑器件.基于0.6 μm CMOS工艺,分别采用"AF+MOS"和"MOS+AF"集成方法成功制备了ONO反熔丝器件,研究了ONO反熔丝阵列单元编程特性、导通电阻与编程电流以及编程时间之间的关系,同时对两种典型编程通路的编程特性进行特征化表征,考察了反熔丝单元编程前后的电应力可靠性.研究结果表明,采用"AF+MOS"集成方法制备的ONO反熔丝器件具有优良的击穿均匀性和编程特性.