ONO反熔丝的研究

• 作者: 孙承松 张丽娟 李新
• 来源期刊: 沈阳工业大学学报
• 学科: 工学
• 关键词: 反熔丝 氧化层/氮化物/氧化层 电阻 编程电压 稳定性
• 年，卷（期）: 2006,（5）
• 所属期刊栏目: 信息科学与工程
• 页码范围: 546-548
• 页数: 3页
• 分类号: TN3
• 字数: 1226字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-1646.2006.05.016

摘要

反熔丝器件广泛地应用在FPGA、DRAM、PROM、EPROM芯片中.介绍了多晶硅/ONO(氧化层-氮化物-氧化层)/多晶硅结构的反熔丝.描述了半导体技术制造反熔丝的工艺流程和工艺条件.未编程的反熔丝表现为电容特性,电阻即off-state电阻较大;经高电压编程的反熔丝即onstate电阻阻值较低.高压编程过的反熔丝的上下导电层短路(阻值在几十欧姆范围内),形成电流通路.研究中采用生长氧化层-氮化-生长氧化层的方法形成ONO结构.试验数据表明:ONO结构反熔丝介质漏电低于1×10-14A,稳定性高,在较大温度范围内on-state电阻变化小.反熔丝编程电压在15V以下.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李新	沈阳工业大学信息科学与工程学院	60	231	9.0	12.0
2	孙承松	沈阳工业大学信息科学与工程学院	17	134	6.0	11.0
3	张丽娟	沈阳工业大学信息科学与工程学院	17	85	5.0	9.0