与ONO反熔丝FPGA匹配的高压器件设计

• 作者: 于宗光 周云波 封晴 胡凯
• 来源期刊: 东南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 高压器件 ONO型反熔丝 FPGA
• 年，卷（期）: 2012,（4）
• 页码范围: 614-617
• 分类号: TN386
• 字数: 2998字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-0505.2012.04.007

摘要

描述了一种与ONO反熔丝现场可编程门阵列(FPGA)匹配的高压nMOSFET的设计.该器件采用中国电子科技集团公司第五十八研究所晶圆的1.0 μm 2P2M ONO反熔丝工艺生产实现.该工艺中,通过一次离子注入和高温推进实现了深结HVNwell；通过将高压注入与栅极多晶保持0.2 μm的间距解决了增加结深、提高速度与降低穿通击穿电压的矛盾；通过一次离子注入实现了高压nMOSFET阈值电压的调整.测试结果表明:高压nMOSFET的击穿电压达到21 ～23 V,远大于ONO反熔丝13.5 V的编程电压；饱和电流为4.32 mA,与工艺改进前相比饱和电流明显增大,工作速度得到提升,满足反熔丝FPGA工作频率的要求；阈值电压为0.78 V,与常压器件兼容.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	于宗光	江南大学物联网工程学院	89	354	9.0	14.0
5	周云波	江南大学物联网工程学院	4	9	2.0	2.0
6	胡凯	中国电子科技集团公司第五十八研究所	15	33	4.0	5.0
7	封晴	中国电子科技集团公司第五十八研究所	5	21	3.0	4.0