厚栅氧PMOSγ射线剂量探测器芯片工艺优化研究

• 作者: 张玲玲 郭凤丽 石磊
• 来源期刊: 电子与封装
• 关键词: PMOS 厚栅氧 阈值电压
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 微电子制造与可靠性|Microelectronics Fabrication & Reliability
• 页码范围: 77-80
• 页数: 4页
• 分类号: TN307
• 语种: 中文
• DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2021.0915

摘要

核能是未来能源的重要组成部分,利用得当会为人类造福,如果使用不当会给人类带来毁灭性的灾难,而辐射探测器是发展核能必备的基础设备.PMOS管已广泛应用于γ射线剂量探测领域,提高厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器的制造合格率、降低生产成本有利于厚栅氧PMOS γ射线剂量探测器在核技术方面的应用.从芯片制造工艺入手,分析关键指标PMOS管阈值电压的影响因素,采取有效控制措施,使厚栅氧PMOSγ射线剂量探测器的制造成本降低30％.