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摘要:
在光泵浦外腔面发射激光器中,分别用Cr4+∶YAG晶体和半导体可饱和吸收镜SESAM作为可饱和吸收介质,获得了稳定的调Q脉冲输出.使用Cr4+∶YAG晶体时,调Q脉冲的宽度为10μs,脉冲重复频率为26.3 kHz.在相同的脉冲重复频率下,用半导体可饱和吸收镜所获得的调Q脉冲宽度为8μs.基于外腔面发射激光器中增益芯片的量子结构,以及Cr4+∶YAG晶体和半导体可饱和吸收镜各自的时间特性,分析讨论了两种不同的可饱和吸收介质作用下,外腔面发射激光器中调Q脉冲的形成过程,初步清晰了外腔面发射激光器这一特殊种类的激光器中与调Q过程相关的物理图像.
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文献信息
篇名 调Q运转外腔面发射激光器
来源期刊 中国激光 学科
关键词 激光器 调Q 外腔面发射激光器 可饱和吸收 Cr4+∶YAG晶体 半导体可饱和吸收镜
年,卷(期) 2021,(7) 所属期刊栏目 激光器件与激光物理|Laser Devices and Laser Physics
研究方向 页码范围 11-18
页数 8页 分类号 TN245
字数 语种 中文
DOI 10.3788/CJL202148.0701003
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