碳杂质对p-GaN电阻率的补偿作用研究

• 作者: 吴昕宁 刘昭阳 刘明佳 赵云涛 齐浩然 周梅 沈慧星 赵德刚
• 来源期刊: 中国激光
• 关键词: 材料 p-GaN 补偿作用 碳杂质 二次离子质谱
• 年，卷（期）: 2021,（13）
• 所属期刊栏目: 材料与薄膜|Materials and Thin Films
• 页码范围: 72-77
• 页数: 6页
• 分类号: O482.31
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL202148.1303001

摘要

研究了碳杂质对p-GaN的补偿作用.采用金属有机化学气相沉积法生长GaN∶Mg材料,实验发现,当生长温度从1000℃提高到1050℃时,p-GaN的电阻率减小,空穴浓度增大.通过光致发光测试,发现随着生长温度的升高,尽管p-GaN的电阻率减小,但是Mg杂质的自补偿效应增强.进一步结合二次离子质谱测试,发现高温生长的p-GaN材料中碳杂质浓度更低,碳杂质在p-GaN中可能形成施主,从而补偿受主,增大p-GaN的电阻率.因此,在p-GaN中,碳杂质补偿相对于Mg杂质自补偿具有更重要的作用,抑制碳杂质对p型掺杂p-GaN非常重要.