超宽带双刀双掷氮化镓功率开关芯片

• 作者: 戴剑 张忠山
• 来源期刊: 现代信息科技
• 关键词: 超宽带 射频开关 双刀双掷 插损 耐功率能力
• 年，卷（期）: 2021,（6）
• 所属期刊栏目: 电子工程|Electronic Engineering
• 页码范围: 48-50,53
• 页数: 4页
• 分类号: TM564
• 语种: 中文
• DOI: 10.19850/j.cnki.2096-4706.2021.06.012

摘要

文章提出了一种超宽带射频开关拓扑结构,利用该拓扑结构,设计了一款基于氮化镓单片工艺的超宽带(17～35 GHz)双刀双掷功率开关芯片,同一芯片上集成了射频收发切换开关和极化开关.在片测试结果显示,该芯片在整个频段内的插入损耗典型值为2.5 dB,隔离度典型值为27 dB.装配测试表明该芯片的输入P0.1 dB为40 dBm,具有较高的耐功率能力.芯片尺寸仅为3×2.5 mm2.该功率开关芯片可广泛应用于多功能雷达射频组件中,用于发射/接收的切换和极化方向的选择.