电磁故障注入攻击对动态随机存取存储器安全性的影响研究

• 作者: 刘强 唐鸿辉
• 来源期刊: 电子与信息学报
• 关键词: 硬件安全 电磁故障注入攻击 动态随机存取存储器
• 年，卷（期）: 2021,（9）
• 所属期刊栏目: 硬件安全专题|Special Issue on Hardware Security
• 页码范围: 2449-2457
• 页数: 9页
• 分类号: TN918|TP309.1
• 语种: 中文
• DOI: 10.11999/JEIT210566

摘要

以探索电磁故障注入(EMFI)攻击对动态随机存取存储器(DRAM)的安全性影响为目标,该文使用电磁故障注入攻击平台对DRAM进行了扫描攻击,对出现的故障进行统计分类,随后基于DRAM的基本结构分析阐述了造成故障的机理,最后展示了通过电磁脉冲攻击DRAM对计算机系统的安全威胁.实验表明电磁脉冲在DRAM中既可以引起瞬时故障也可以引起持续性故障,且以多故障为主.分析发现,电磁脉冲故障攻击技术可以以低的时间和空间分辨率向DRAM的指定地址注入持续性故障.另外,该文成功地将持续性故障注入到了存储在DRAM中的AES-128程序中并破解了其密钥,证明了使用电磁脉冲对DRAM进行攻击能对计算机系统造成安全威胁,展示了DRAM安全性的研究对硬件系统安全具有重要意义.