IEGT表面压力分布及其对温升的影响研究

• 作者: 李骏 王智勇 李钊 王文杰
• 来源期刊: 电力电子技术
• 学科: 工学
• 关键词: 注入增强型栅极晶体管 表面压力分布 温升
• 年，卷（期）: 2021,（12）
• 所属期刊栏目: 电力电子器件和电力电子系统的可靠性|Reliability of Power Electronic Devices and Power Electronic Systems
• 页码范围: 13-15,23
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-100X.2021.12.004

摘要

随着柔性直流输电的快速发展,压接型电子注入增强型栅极晶体管(IEGT)的运用越来越广泛,IEGT阀串通过外部压力实现良好的机械及电气接触,而IEGT表面压力分布不仅影响其内部芯片的电流及温度分布,还将严重影响其可靠性.基于压接型IEGT通流阀组应用工况及阀串有限元仿真模型,研究了IEGT表面压力分布情况,提取压力差值最大的两个单芯片建立并联模型,基于电-热-力三场耦合仿真分析了压力分布对器件温升的影响.通过压力均匀性试验及压力-显色密度曲线验证了有限元模型及边界条件的正确性,通流及开断试验验证了IEGT阀串设计的合理性,最后总结了器件阀串结构设计优化流程.