中红外锗基集成光电子研究进展

• 作者: 郭荣翔 高浩然 程振洲 刘铁根
• 来源期刊: 中国激光
• 学科: 工学
• 关键词: 集成光学 集成光学器件 红外光子学 非线性光学 中红外集成光电子 锗基
• 年，卷（期）: 2021,（19）
• 所属期刊栏目: 激光器件与激光物理|Laser Devices and Laser Physics
• 页码范围: 23-41
• 页数: 19页
• 分类号: TN256
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/CJL202148.1901002

摘要

中红外(波长为2～20 μm)集成光学在光谱分析、环境监测、医疗诊断、通信测距等领域具有广泛的应用前景.在现有的中红外集成光电子材料中,"Ⅳ族"半导体材料(如硅、锗、锡、石墨烯等)具有超宽的光谱带宽、出色的光电特性、良好的物理化学稳定性、器件制作与互补金属氧化物半导体(complementary metal oxide semiconductor,CMOS)技术兼容等优势,得到了广泛的关注.回顾了基于"Ⅳ族"材料的中红外集成光电子的发展历程,重点针对近年来新兴的中红外锗基集成光电子的器件和应用进行了综述,对中红外集成光电子的发展前景进行了展望和讨论.希望能够为中红外光学、硅基光子学、锗基光子学、光电材料、光学传感和光谱等领域的研究工作者提供有用的参考资料.