尺寸调控SnO2量子点的阻变性能及调控机理

• 作者: 龚少康 周静 王志青 朱茂聪 沈杰 吴智 陈文
• 来源期刊: 物理学报
• 关键词: SnO2量子点 阻变存储器 量子尺寸效应 界面势垒
• 年，卷（期）: 2021,（19）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质|CONDENSED MATTER: ELECTRONIC STRUCTURE, ELECTRICAL,MAGNETIC, AND OPTICAL PROPERTIES
• 页码范围: 200-210
• 页数: 11页
• 语种: 中文
• DOI: 10.7498/aps.70.20210608

摘要

零维SnO2量子点因具有优异的物理化学稳定性、高电子迁移率和能带结构可调等特性,是阻变存储器中阻变功能材料的良好选择,受到了研究者的广泛关注.本文采用溶剂热法制备了尺寸为2.51 nm,2.96 nm和3.53 nm的SnO2量子点,在较小尺寸范围内证明了SnO2量子点能带结构随尺寸离散化的量子尺寸效应;并基于其量子尺寸效应,实现了对SnO2量子点阻变存储器开关电压的有效调控.研究表明,尺寸为3.53 nm的SnO2量子点具有较低的开关电压(–2.02 V/3.08 V)与较大的阻变开关比(>104),器件在经过2×104次的耐久性测试后,阻变性能变化率小于5％,具有较好的稳定性与保持性.基于库仑阻塞效应,SnO2量子点内部缺陷势阱作为俘获中心对电子的自俘获/脱俘作用,是其实现阻变效应的原因;此外,SnO2量子点与ITO,Au界面肖特基势垒高度的有效控制则是精准调控其阻变开关电压的关键.以上工作揭示了SnO2量子点在阻变存储领域的巨大应用潜力和商业化应用价值,为阻变存储器的发展提供了一项新的选择.