分数阶记忆元件转换关系的研究

• 作者: 尚涛 甘朝晖 余磊 左自辉
• 来源期刊: 微电子学与计算机
• 关键词: 记忆元件 本构方程 分数阶
• 年，卷（期）: 2022,（1）
• 所属期刊栏目: 微电子器件与工艺
• 页码范围: 88-94
• 页数: 6页
• 分类号: TN601
• 语种: 中文
• DOI: 10.19304/J.ISSN1000-7180.2021.0561

摘要

记忆元件作为新型电路元件，其特殊的记忆特性引起了科研人员的广泛关注.从记忆元件的本构方程出发，推导出了记忆元件之间的转换关系，仿真实现了三种分数阶记忆元件之间的相互转换.仿真实验结果验证了分数阶记忆元件之间相互转换关系式的正确性.同时，也详细分析了分数阶阶次对记忆元件影响的规律.