影响超二代像增强器最高增益的因数分析

• 作者: 李晓峰 杜木林 徐传平 黄丽书 陈俊宇 常乐
• 来源期刊: 光子学报
• 学科: 工学
• 关键词: 像增强器 正反馈 微通道板 光电阴极 荧光屏 暗发射
• 年，卷（期）: 2022,（3）
• 所属期刊栏目: 探测器|Detectors
• 页码范围: 123-134
• 页数: 12页
• 分类号: TN223
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/gzxb20225103.0304001

摘要

在阴极灵敏度、微通道板固有增益、屏效以及屏压一定的条件下,超二代像增强器的最高亮度增益由微通道板增益所决定.实验中发现微通道板增益存在一个最高值,当微通道板增益超过最高值时,像增强器会产生自激发光.像增强器产生自激发光时,图像的对比度、分辨力消失,图像亮度的增强作用失去意义.因此超二代像增强器的最高亮度增益受自激发光的影响.超二代像增强器产生自激发光的原因是像增强器内部微通道板电子倍增形成了正反馈.微通道板的最高增益与光电阴极灵敏度、荧光屏铝膜的透过率成反比,所以在阴极灵敏度一定的条件下,影响微通道板最高增益的因数是荧光屏铝膜的透过率.在微通道板固有增益一定的条件下,提高微通道板的板压不会影响像增强器的分辨力和等效背景照度,但会降低像增强器的信噪比,因此信噪比又是影响超二代像增强器最高亮度增益的一个因数.要进一步提高超二代像增强器的最高亮度增益,在阴极灵敏度、屏效以及屏压一定的条件下,需要提高微通道板的固有增益,同时减小荧光屏铝膜的透过率.