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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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1. 中国将发放5G商用牌照刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 人民日报官方推特6月5日晚发布消息,中国将于6月6日发放5G商用牌照。此前6月3日,新华社报道称,工信部将于近期发放5G商用牌照。6月5日消息,工业和信息化部6月3日发布消息称,5G商用牌照...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 工信部正式批复同意成都建设国家'芯火'双创基地。这是成都在被认定为国家集成电路设计产业化基地的基础上,再次被列入国家'芯火'创新行动计划重点区域。据了解,成都国家'芯火'双创基地由成都芯火集...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 自2018年1月以来,Qorvo已交付超过1亿个5G无线基础设施射频器件。Qorvo广泛的5G产品组合包括用于接收和发送的高度集成化的射频前端解决方案,可用于大规模多输入多输出基站的波束成形...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： Qorvo,Inc.面向6GHz以下的无线基础设施市场推出新型的高能效、小基站前端解决方案。该产品显著提高了效率,使基站制造商能够强化现有的4G LTE基础设施,获得更高带宽、覆盖率、吞吐量...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 安森美半导体(ON Semiconductor)推出最新650V碳化硅(SiC)肖特基二极管系列产品,扩展了SiC二极管产品组合。这些二极管的尖端碳化硅技术提供更高的开关性能、更低的功率损耗...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 随着市场对SiC技术的效率和功率密度的要求不断上升,新推出的700VMOSFET和700V、1200VSBD可为客户提供更多选择。汽车、工业、太空和国防领域越来越需要能提升系统效率、稳健性和...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 收购Norstel,扩充卡塔尼亚工厂生产线,改造新加坡工厂,一系列动作皆是为了SiC。ST Microelectronics(意法半导体)正在进行功率半导体攻势。目前,在功率半导体市场,意法...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司宣布,已经为UJ3C(通用型)和UF3C(硬开关型)系列650VSiC FET新增加了7种新的TO220-3L和...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 2019年5月7日,英飞凌科技股份公司加速推出CoolSiCTM MOSFET1200V单管新产品。新产品导通电阻从30mΩ到350mΩ不等,拥有TO247-3pin和TO247-4pin两...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 英飞凌科技股份公司联合Schweizer电子股份公司成功开发出面向轻度混合动力汽车的新技术:芯片嵌入式功率MOSFET。它将显著提升48V系统的性能,同时降低它们的复杂度。大陆集团动力总成事...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 埃赋隆半导体(Ampleon)宣布基于其成熟的第9代高压LDMOS工艺技术派生出高级加固技术(Advanced Rugged Technology,ART),并借此开发出新系列射频功率器件中...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 近期,士兰微电子推出了应用于家用电磁炉的1350VRC-IGBT系列产品。据悉,士兰微电子的600V单管IGBT产品已经在电焊机和IPM领域大规模应用,获得了业内一致好评,此次推出的系列产品...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 英飞凌科技股份公司最新发布适用于xEV主逆变器的功率模块,以支持汽车行业打造广博的高性价比混合动力电动汽车和纯电动汽车(xEV)产品组合。在今年的PCIM贸易展上,英飞凌展出了4个新的Hyb...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与RF解决方案的领先供应商Qorvo?,Inc.宣布,推出MMIC功率放大器,该放大器在32-38GHz频段提供超过10瓦饱和功率。市场上性能最强大的M...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： Qorvo发布两款全新的氮化镓(GaN)功率放大器(PA)系列产品——QPA2212和QPA1022,它们适合国际Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵雷达应用。这些解决方案提供的功率、线性...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 深耕于高压集成电路高能效电源转换领域的知名公司Power Integrations公司近日发布一系列集成了900V初级MOSFET的离线式开关电源IC。新发布的器件既包括适合高效率隔离反激式...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 为迎接台积电3纳米厂研发及先期量产,中国台湾地区环保署近日初审通过竹科宝山用地扩建计划。另台积电在会中首度透露,预计把5年后的2纳米厂研发及量产都落脚在竹科,以避免研发人才散掉或外流的风险。...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 在半导体晶圆代工市场上,台积电TSMC是全球一哥,一家就占据了全球50%以上的份额,而且率先量产7nm等先进工艺,官方表示该工艺领先友商一年时间,明年就会量产5nm工艺。在台积电之外,三星也...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 由主要半导体厂商组成的世界半导体贸易统计组织(WSTS)近日发布预测称,2019年市场规模为4120亿美元,同比缩小12%。在2018年秋季的上次预测中,曾认为市场将增长2.6%。半导体市场...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 市场调研机构IDC表示,由于智能手机销售放缓和需求疲软,预计2019年全球半导体收入将下降7.2%,结束连续三年的增长势头。IDC半导体项目副总裁Mario Morales在一份声明中表示:...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： GaN器件在5G时代需求将迎来爆发式增长射频功率放大器(PA)作为射频前端发射通路的主要器件,通常用于实现发射通道的射频信号放大。5G将带动智能移动终端、基站端及IOT设备射频PA稳健增长,...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 根据IC Insights的2019年OSD报告,功率晶体管的销售额增长率达到两位数,2018年增长14%,达到创纪录的163亿美元,更是打破2017年增长11%的纪录。功率晶体管的强劲增长...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 作为第三代半导体材料的杰出代表,碳化硅因具备禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高等优势特性,非常适用于高温、高频以及高功率密度的应用场景。典型的比如新能源汽车领域,特斯拉最新的Model 3...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 5G基站,射频PA需求大幅增长5G基站PA数量有望增长16倍。4G基站采用4T4R方案,按照三个扇区,对应的PA需求量为12个,5G基站,预计64T64R将成为主流方案,对应的PA需求量高达...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 根据集邦咨询旗下拓墣产业研究院报告指出,电动汽车已成为汽车产业未来的主要成长动能,预估在2021年电动汽车将突破800万辆,为2018年的两倍。除了电池与发动机外,电动汽车关键零组件以IGB...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 三星电子表示,为了成为全球半导体业务的主要参与者。它希望通过兼并和收购提升公司在设计和制造上能力。他们在4月份曾经透露,其目标是到2030年成为世界顶级的半导体企业——为客户提供优质的逻辑芯...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： Marvell 5月20日宣布,已与GlobalFoundries(以下简称格芯)达成协议,将收购Avera半导体。据了解,此次收购将Avera领先的定制化设计能力和Marvell先进的技术...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 作为设计和生产创新性半导体材料的全球领军企业,法国Soitec半导体公司宣布,已与欧洲领先的氮化镓(以下简称GaN)外延硅片材料供应商EpiGaN达成最终协议,以3,000万欧元现金收购Ep...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 据国家国资委官网5月28日消息,上海集成电路产业投资基金股份有限公司、华大半导体有限公司近日与上海积塔半导体有限公司签订协议,增资位于上海的积塔半导体项目。总投资近360亿明年投产上海积塔半...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年3期页码:摘要： 6月19日,中芯绍兴MEMS和功率器件芯片制造及封装测试生产基地项目(以下简称'中芯绍兴项目')举办主体工程结顶仪式。据介绍,中芯绍兴项目首期总投资58.8亿元,占地207.6亩,总建筑面积...
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