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半导体信息
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Semiconductor Information
《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。
主办单位：
中国半导体行业协会分立器件分会
中国电子科技集团公司第五十五研究所
ISSN：
CN：
出版周期：
双月刊
邮编：
210016
地址：
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 10月8日,工信部公布了一份答复政协《关于加快支持工业半导体芯片技术研发及产业化自主发展的提案》的函,函中工信部指出,中国集成电路产业核心技术受制于人的局面仍然没有根本改变,急需加强核心技术...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 中国集成电路发展的“蓝图”即将面世。从近日举行的2019中国(上海)集成电路创新峰会院士圆桌会议获悉,上海将牵头制定“中国集成电路技术路线图”,担纲重任的是国家集成电路创新中心。此次公布的《...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 5G为GaN打开应用的“闸门”5G的到来将会给半导体材料带来革命性的变化,无论是硅衬底还是碳化硅衬底,氮化镓(GaN)都将获得快速发展。从2G到5G,通信频率在不断地向高频发展,因此基站及通...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 近日深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司Power Integrations发布了其InnoSwitch^TM3系列恒压/恒流离线反激式开关电源IC的新成员——基于氮化镓的Inno...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 2019年9月30日讯-深耕于高压集成电路高能效功率转换领域的知名公司9汽车(EV)提高行驶里程和实现更快充电时间,同时还将减轻重量、节约空间、降低成本。科锐碳化硅(SiC)金属氧化物半导体...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： Qorvo日前宣布洛克希德·马丁公司选择其氮化镓(GaN)技术功率放大器,作为美国陆军Q-53雷达系统的GaN模块。将GaN技术引入多任务的移动雷达应用中,将比目前系统中广泛使用的砷化镓(G...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： Diodes公司推出额定40V的DMTH4008LFDFWQ及额定60V的DMTH6016LFDFWQ,两者均为符合车用规范的MOSFET,采用DFN2020封装。这两款微型MOSFET仅占...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 恩智浦半导体日前宣布全方位射频功率多芯片模块(MCM)产品组合将全面上市,支持开发用于5G基站的大规模MIMO有源天线系统。恩智浦5G Airfast解决方案的集成度更高,可以减小功率放大器...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 埃赋隆半导体(Ampleon)发布了最新的12V横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管产品线,加强其地面移动电台业务。这一新的12VLDMOS平台基于埃赋隆已验证的第9代LDMOS技术...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 科锐与德尔福科技(Delphi Technologies PLC)宣布开展汽车碳化硅(SiC)器件合作。科锐是碳化硅(SiC)半导体全球领先企业,德尔福科技是汽车动力推进技术全球供应商,双方...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 美国宾夕法尼亚州萨克森堡的工程材料和光电组件制造商Ⅱ-Ⅵ公司提供了用于电力电子设备的碳化硅(SiC)衬底,该公司介绍了它所说的第一款用于射频功率的200mm直径半绝缘碳化硅衬底原型。5G无线...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 总部位于英国的Plessey公司开发用于增强现实和混合现实(AR/MR)显示应用的嵌入式微LED技术,利用其在硅上的专有氮化镓(GaN-on-Si)技术,创造了2.5μm像素间距微LED显示...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 10月2日,清华大学化学工程系魏飞教授团队题为“超纯半导体性碳纳米管的速率选择生长”(Rate selected growth of the ultrapure semiconducting...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 9月,CASA技术委员会委员、西安电子科技大学微电子学院郝跃院士的团队在国际权威顶级期刊IEEE Transactions on Industrial Electronics和IEEE Tr...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 日本大阪大学已将银纳米颗粒(Ag NPs)与掺euro的氮化镓(GaN:Eu)发光二极管相结合,以将红色电致发光的强度提高了2倍。(物理学,Express,第12卷,p095003,2019...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 据麦姆斯咨询报道,10月18日上午9时40分,随金牛座纳星运行了37天的碳化硅MEMS(微机电系统)微推力器阵列芯片接受地面点火指令成功点火,在轨验证了对金牛座纳星的姿态控制技术。金牛座纳星...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 市场研究机构IHS Markit的最新数据显示,全球半导体行业2019年的销售将比去年下降近13%,但分析师也认为,5G有望扭转这一切。IHS Markit Technology半导体制造高...
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18. SiC市场将迎来大爆发刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 过去多年一直被诟病“价格过高”的碳化硅(SiC)终于正式进入了增长期。作为被寄予厚望的电动汽车、第五代通信系统(5G)等应用的不可或缺的材料,碳化硅晶圆(Wafer)、采用了晶圆的芯片、高频...
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19. 5G时代催生的新型电子元器件需求刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 2019年6月6日,工信部发放4张5G牌照,标志着中国正式进入5G元年。5G商用牌照的发放,加快了5G基站的落地,带动了电子元器件的市场需求,也提高了电子元器件更迭换代的速度,从5G需求层面...
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20. 化合物半导体代工风云再起刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 随着各种高频和高功率应用需求的提升,化合物半导体的市场规模不断扩大,相应芯片的设计和制造业务受到越来越多从业者和资本的关注,发展前景一片大好。化合物半导体主要是指第二代和第三代半导体材料及工...
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21. 射频前端市场或将洗牌刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 在射频前端领域,过去多年以来一直是被国外几家独立的芯片厂商所把持。尤其是在高端的射频芯片领域,这更是Skyworks、Qorvo、Broadcom、村田和TDK等厂商的自留地。资料显示,全球...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 高通近日宣布,将斥资31亿美元收购TDK公司在射频前端(RFFE)技术合资企业RF360Holdings中的剩余股权,这笔交易将让高通把RFFE技术完全整合到下一代5G解决方案中。高通将获得...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 9月10日,中国半导体材料创新发展大会在宁波北仑正式召开,上海新昇半导体执行副总裁费璐博士在演讲中指出,目前中国有14家公司官宣介入300mm大硅片产业,总数量超过目前世界300mm硅片公司...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 杭州中欣晶圆半导体股份有限公司大硅片项目近日在杭州钱塘新区竣工投产,实现了8英寸大硅片的正式量产,同时12英寸大硅片生产线进入调试、试生产阶段。36上海将牵头制定中国集成电路技术路线图中国集...
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25. 南京国科半导体研究院签约浦口刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 近日,中科院半导体研究所、南京浦口经济开发区管委会及江苏华睿投资管理有限公司联合共建的南京国科半导体研究院项目签约仪式在浦口经济开发区举行。据了解,此次联合共建的南京国科半导体研究院项目总投...
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26. 两大本土GaN外延片项目宣布投产刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 近日,北京耐威科技股份有限公司(以下简称“公司”)发布公告,其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司(以下简称“聚能晶源”)投资建设的第三代半导体材料制造项目(一期)已达到投产条件,于...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 2019年9月27日,深圳市锐骏半导体(www.ruichips.com)在深圳市南山区科兴科学园会议中心召开了他们12英寸MOSFET成功投产的发布会,2019年12英寸新产品发布会,这是...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 据报道,全球第三大DRAM厂美光(Micron)将在台湾加码投资,要在现有厂区旁兴建2座晶圆厂,总投资额达4000亿元新台币(约合人民币903亿元),以下代最新制程生产DRAM。报道称,时值...
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刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 8月27日,年产值30亿元的射频(5G)前端芯片及模组产业化项目落户重庆梁平重庆平伟是一家电源配套半导体器件综合供应商,年产200亿只整流器、二极管等各类高可靠性功率器件和模块产品。据悉,射...
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30. 台积电宣布将建全球首家2nm工厂刊名： 半导体信息发表期刊： 2019年5期页码:摘要： 9月18日消息据报道,台积电正式开启2nm工艺的研发工作,并在位于中国台湾新竹的南方科技园建立2nm工厂。按照台积电的说法,2nm工艺研发需时4年,最快也得要到2024年才能进入投产。这段时...
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