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半导体信息

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Semiconductor Information

《半导体信息》坚持为社会主义服务的方向，坚持以马克思列宁主义、毛泽东思想和邓小平理论为指导，贯彻“百花齐放、百家争鸣”和“古为今用、洋为中用”的方针，坚持实事求是、理论与实际相结合的严谨学风，传播先进的科学文化知识，弘扬民族优秀科学文化，促进国际科学文化交流，探索防灾科技教育、教学及管理诸方面的规律，活跃教学与科研的学术风气，为教学与科研服务。

主办单位：

中国半导体行业协会分立器件分会 中国电子科技集团公司第五十五研究所

ISSN：

CN：

出版周期：

双月刊

邮编：

210016

地址：

南京市1601信箱43分箱（南京市中山东

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热门刊内文献

年度刊次

1. 商务部:将集成电路设计纳入国家科技计划支持范围

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 1-1

摘要：随着新一代信息技术的广泛应用,服务外包呈现出数字化、智能化、高端化、融合化的新趋势,为此,中国政府网发布了《商务部等8部门关于推动服务外包加快转型升级的指导意见》(以下简称"《意见》"),对...
2. 国际电联启动6G研究工作

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 1-2

摘要： 2020年2月19-26日,在瑞士日内瓦召开的第34次国际电信联盟无线电通信部门5D工作组(ITU-R WP5D)会议上,开展了6G研究工作。工作包括制定6G研究时间表和未来技术趋势研究报告...
3. 实现通信系统的性能突破Qorvo宽带GaN功率放大器面市

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 2-3

摘要：移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中RF解决方案的领先供应商Qorvo■,Inc.近日推出全球性能最高的宽带功率放大器(PA)—TGA2962。Qorvo推出的这款功率放大器是专为通信应...
4. 安森美与Transphorm达成合作共同开发基于氮化镓(GaN)的电源系统方案

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 3-4

摘要：安森美半导体(ON Semiconductor)与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系,共同开发及共同推广基于氮化镓(GaN)的产品和电源系统方案,用于工业、计算机、电信...
5. 倍思推出全球首款氮化镓(GaN)+碳化硅(SiC)充电器

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 4-4

摘要：近日,从倍思推特了解到,倍思推出了全球最小的120W氮化镓充电器。早在2019年,倍思就推出了首款2C1A GaN氮化镓充电器,引爆了的氮化镓充电器市场。据介绍,这款120W氮化镓充电器名为...
6. CES2020:AUKEY发布100W氮化镓迷你PD快充

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 5-5

摘要： CES2020于美国时间1月7日在拉斯维加斯开幕,此次展会从1月7日持续到1月10日,展出4天。充电头网在AUKEY现场展台发现了一款100W单口USB PD充电器新品,型号为PA-B5,是...
7. 纳微半导体65W氮化镓(GaN)方案获小米10 Pro充电器采用

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 5-6

摘要：小米集团和纳微(Navitas)宣布,其GaNFast充电技术已被小米采用,用于旗舰产品Mi 10 PRO智能手机。小米董事长兼首席执行官雷军先生在2月13日的小米在线新闻发布会上宣布了此消...
8. 三安与Plextek RFI合作设计5G砷化镓MMIC

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 6-7

摘要：三安集成电路有限公司(SANAN-IC)近日宣布,三安集成电路已被在新兴5G市场应用砷化镓(GaAs)单片微波集成电路(MMIC)英国设计供应商Plextek RFI公司认可。三安集成电路有...
9. 英飞凌推出基于PQFN 3.3×3.3mm封装的OptiMOS源极底置25V功率MOSFET

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 7-8

摘要：英飞凌科技股份公司通过专注于解决当前电源管理设计面临的挑战,来实现系统创新和组件水平的改进。"源极底置"是符合行业标准的全新封装概念。英飞凌已推出第一批基于该封装概念的功率MOSFET,它们...
10. 性价比一流:英飞凌推出面向低频率应用的600V CoolMOS S7超结MOSFET

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 8-8

摘要：英飞凌科技股份公司成功开发出满足最高效率和质量要求的解决方案。对于MOSFET低频率开关应用而言,新推出的600V CoolMOSS7系列产品可带来领先的功率密度和能效。CoolMOS S7...
11. 更可靠更高效英飞凌650V CoolSiC^TM MOSFET问市

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 9-9

摘要：英飞凌科技股份公司进一步扩展其碳化硅(SiC)产品组合,推出650V器件。其全新发布的CoolSiC^TM MOSFET满足了包括服务器、电信和工业SMPS、太阳能系统、能源存储和电池化成、...
12. Vishay高效80V MOSFET实现最佳优值系数

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 10-11

摘要：日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出新款6.15mm×5.15mm PowerPAK■SO-8单体封装的—SiR680ADP,它是80V TrenchFET...
13. Vishay 30Vp沟道TrenchFET第四代功率MOSFET大幅提高功率密度

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 10-10

摘要：日前,Vishay Intertechnology,Inc.推出新型-30Vp沟道TrenchFET■第四代功率MOSFET—SiSS05DN,器件采用热增强型3.3mm×3.3mm Pow...
14. MagnaChip推出无线耳机充电保护的MOSFET

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 11-11

摘要： MagnaChip宣布,公司推出一种新的用于无线耳机的MOSFET,以防止电池过度充电。该MOSFET旨在控制充电电池时流入无线耳机的过多电流,以保护无线耳机免受损坏。据该公司称,无线耳机市...
15. 安世半导体低RDS(on)功率MOSFET问市树立25V、0.57mΩ新标杆

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 11-12

摘要：安世半导体,分立器件和MOSFET器件及模拟和逻辑集成电路器件领域的生产专家,近日宣布推出有史以来最低RDS(on)的功率MOSFET。推出的PSMNR51-25YLH已经是业内公认的低压、...
16. 埃赋隆推出工作在433MHz频段的500W LDMOS晶体管效率为业界最高

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 12-12

摘要：埃赋隆半导体(Ampleon)现在面向工业加热、除霜、等离子照明和医疗应用推出基于LDMOS的BLP05H9S500P功率放大器晶体管。BLP05H9S500P的工作频率范围为423至443...
17. 导通电流密度突破50A/cm^2新型IGBT诞生

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 13-15

摘要：几十年前,在功率半导体器件领域,半导体硅材料一直"独唱主角",硅基超大规模集成技术对硅功率器件的发展产生了重大影响。然而,随着功率领域对小型化、高频、高温、高压和抗辐照特性的迫切需求,硅基功...
18. 大功率高效率Vixar新款10W VCSEL芯片使3D传感如虎添翼

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 15-16

摘要： Vixar,隶属于全球领先的高科技公司欧司朗,在2020年美国西部光电展上推出一款领先的垂直腔表面发射激光器(VCSEL)产品,它功率更大,效率更高,进一步丰富了VCSEL芯片产品组合。
19. 高通ultraSAW滤波器技术大幅提升2.7GHz以下频段的射频性能

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 16-17

摘要： Qualcomm Technologies,Inc.近日推出Qualcomm■ ultraSAW滤波器技术,在行业领先的无线技术组合中实现了又一项突破式创新。Qualcomm研发开创性技术、...
20. 中国首个自主研发5G微基站射频芯片流片成功

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 17-18

摘要：科技日报报道,据南京经济技术开发区发布,我国首个5G微基站射频芯片YD9601,在南京宇都通讯科技有限公司经过自主研发流片成功,目前正在进行封装测试。5G基站分为宏基站和微基站两种。宏基站主...
21. 对话Soitec:拓宽Smart Cut技术应用范围为解决SiC产业难题提供思路

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 18-21

摘要：随着新能源汽车的大规模商用和5G时代的来临,产品市场对碳化硅(SiC)材料的需求呈现了前所未有的爆发式增长。据IHS研究数据预测,2017年的碳化硅市场总量为3.99亿美元,而在2023年将...
22. 专访Cree CEO Gregg Lowe:SiC的前景一片光明

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 21-23

摘要：问:Cree最近宣布扩大其制造能力,并在纽约建立全球最大的SiC工厂,以在美国东海岸创建一条SiC产业链,市场的良好预期正在推动这种大胆的产能扩张。Gregg Lowe:根据Canaccor...
23. 2019年半导体产业十大热点事件

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 23-28

摘要：日本加强对韩国半导体材料出口管制2019年,日本与韩国在贸易方面关系恶化。7月1日,日本政府宣布加强高纯度氟化氢、氟化聚酰亚胺、光刻胶这三种关键半导体材料对韩国的出口管制,要求日本企业向韩国...
24. 半导体产业将在2020年得到复苏

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 28-29

摘要：半导体在2019年下降了12%《世界半导体贸易统计》(WSTS)报告称,2019年全球半导体市场规模为4120亿美元,较2018年的4690亿美元下降了12.1%。降幅最大的是内存(主要是D...
25. 2021年半导体新增产能有望创新高

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 29-29

摘要：半导体市调机构IC Insights预测,明年开始,全球半导体企业增设生产线后,2021年半导体新增产能有望创下历史新高。在IC Insights最新报告书《全球硅片产能2020~2024》...
26. IC Insight:半导体研发投入未来五年将持续增长

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 30-30

摘要： IC Insights表示,半导体行业的整合在过去五年中影响了研发支出的增长率,不过从长期来看,自1980年以来研发研发支出的年度率一直在放缓。然而如今,随着包括3D芯片堆叠技术,先进工艺中...
27. 新兴科技驱使半导体回暖

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 30-31

摘要： 2020年全球半导体销售额将重回成长轨道,主要是受惠于新兴科技领域的需求逐步加温、终端创新应用的硅含量提高、存储器供需结构将明显获得改善;显然此局面迥异于2019年因美中贸易战负面影响浮现、...
28. 氮化镓充电器站上风口2025年全球GaN快充市场规模有望达600多亿元

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 32-33

摘要：据中信证券近日发布的研报表示,GaN材料具备高功率、高频率、高导热等优势,所做充电芯片实现了输出大功率的同时保持充电器体积可控。目前国内已有多家厂商布局GaN快充,预计随着用户对便携性的需求...
29. 氮化镓市场空间持续拓展

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 32-32

摘要： GaN(氮化镓)属于第三代半导体材料(又称为宽禁带半导体材料)。GaN的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si和GaAs,具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。
30. 2020半导体行业趋势射频前端器件:量价齐升

作者：

刊名：半导体信息

发表期刊： 2020年1期

页码: 33-35

摘要： 2020年,5G开始迈向全面商用化步伐,芯片、射频元件以及存储等产业链关键环节都已日臻完备、蓄势待发,为5G全面开启应用端普惠时代做足了铺垫。5G芯片方面,包括高通、联发科、华为和紫光展锐在...

半导体信息基本信息

刊名	半导体信息	主编
曾用名
主办单位	中国半导体行业协会分立器件分会中国电子科技集团公司第五十五研究所	主管单位
出版周期	双月刊	语种	chi
ISSN		CN
邮编	210016	电子邮箱	bdxx@chinajournal.net.cn
电话	025-868581	网址
地址	南京市1601信箱43分箱（南京市中山东