氮化镓市场空间持续拓展

• 来源期刊: 半导体信息
• 学科: 工学
• 关键词: 宽禁带半导体材料 电力电子器件 氮化镓 射频器件 GaN 击穿场强 迁移速度 第三代半导体材料
• 年，卷（期）: bdtxx_2020,（1）
• 页码范围: 32-32
• 页数: 1页
• 分类号: TN3

摘要

GaN(氮化镓)属于第三代半导体材料(又称为宽禁带半导体材料)。GaN的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si和GaAs,具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。