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上海微电子技术和应用期刊
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上海微电子技术和应用1996年第3期出版文献
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
总被引数(次)
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上海微电子技术和应用
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投稿
曾用名:
上海半导体
ISSN:
1006-9453
CN:
31-1239/TN
出版周期:
季刊
邮编:
200040
地址:
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
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目录
1.
合成温度对PTCPb.36Ba.64Ti1.01O3陶瓷的影响
作者:
姚尧 王依琳
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
1-5
摘要:
本工作采用传统陶瓷工艺,在750-1150℃温度范围内,分别合成了不同合成温度的Nb掺杂Pb36Ba.64Ti1.01O3基料,测量了基料的X-射线及合成后的收缩。
2.
铁电薄膜与器件的电特性及辐射效应
作者:
林成鲁 高剑侠
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
6-13
摘要:
本文详细讨论了铁电电容和器件的电极化特性的研究方法及其电极化特性的辐照效应。
3.
外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs/GaAlAsDHLED
作者:
肖德元 郭康瑾
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
14-16
摘要:
描述了在国内首次采用外延迁移技术研制适合于制作光电子集成电路的硅上硬化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果。发光器件是在外延迁移以后流片制作的,克服了光子器件的对准问题,可与电子器件大规...
4.
1微米硅栅CMOSASIC制造中RIE的应用
作者:
曹茬 蔡根寿
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
17-21
摘要:
本文主要介绍1um双阱双层金属布线硅栅CMOS专用集成电路制造中采用先进的反应离子刻蚀技术,对多种材料如LPCVD、Si3N4、PECVESi3N4、热SiO2、PEVEDSiO2、PSG、...
5.
3DK405型高频高速高反压开关功率晶体管的研制
作者:
白宏光 葛虹宇
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
22-26
摘要:
3DK405型高频高速反压NPN开关功率晶体管研制成功,集电极最大耗散功率PCM≥200W,集电极最大电流ICM≥30A,双结反向击穿电压BVceo≥450V,特征频率fT≥80MHZ,下降...
6.
一种应用广泛的计算机辅助分析方法
作者:
张玉莲 谈国华
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
27-31
摘要:
本文简要回顾了在计算机辅助工程中广泛使用的一种计算机辅助分析方法-有限元分析技术。叙述了有限元分析技术的原理、功能和组成,并扼要介绍了功能全、应用广的ANSYS有限元分析软件。
7.
一个计算机辅助工艺设计系统:上海电力修造总厂CAPP子系统
作者:
王碧娟 程水康
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
32-37
摘要:
8.
现场可编程门阵列发展动向
作者:
吴雄
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
38-41
摘要:
现场可编程门阵集成电路有较高的实用价值。本文评述它的发展动向,其中包括产品主要的结构特点,产品发展综述,设计使用技术及应用领域,介绍这类产品的现实应用意义与市场前景。
9.
A/D转换器综述
作者:
胡诞康
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
42-44
摘要:
A/D转换器是一种广泛应用的器件,是模拟转换成数字量的关键器件。本文介绍了国际各种A/D转换器。指出了各种器件的优缺点和应用场合,并进行了评价。
10.
面向21世纪的微细加工技术
作者:
陈国明
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
45-47
摘要:
11.
世界半导体设备市场及发展趋势
作者:
翁寿松
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
48-50
摘要:
本文论述了世界半导体市场和世界半导体设备市场的现状及发展趋势。
12.
世界集成电路产业发展特点及经验
作者:
徐建泉 陈威森
刊名:
上海微电子技术和应用
发表期刊:
1996年3期
页码: 
51-56
摘要:
上海微电子技术和应用基本信息
刊名
上海微电子技术和应用
主编
曾用名
上海半导体
主办单位
主管单位
出版周期
季刊
语种
ISSN
1006-9453
CN
31-1239/TN
邮编
200040
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地址
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
上海微电子技术和应用评价信息
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