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外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs/GaAlAsDHLED
外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs/GaAlAsDHLED
作者:
肖德元
郭康瑾
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
外延迁移
发光二级管
光电子集成
硅
摘要:
描述了在国内首次采用外延迁移技术研制适合于制作光电子集成电路的硅上硬化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果。发光器件是在外延迁移以后流片制作的,克服了光子器件的对准问题,可与电子器件大规模集成。
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文献信息
篇名
外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs/GaAlAsDHLED
来源期刊
上海微电子技术和应用
学科
工学
关键词
外延迁移
发光二级管
光电子集成
硅
年,卷(期)
1996,(3)
所属期刊栏目
研究方向
页码范围
14-16
页数
3页
分类号
TN383.04
字数
语种
DOI
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引文网络
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1996(0)
参考文献(0)
二级参考文献(0)
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外延迁移
发光二级管
光电子集成
硅
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期刊影响力
上海微电子技术和应用
主办单位:
出版周期:
季刊
ISSN:
1006-9453
CN:
31-1239/TN
开本:
出版地:
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
邮发代号:
创刊时间:
语种:
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
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