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摘要:
描述了在国内首次采用外延迁移技术研制适合于制作光电子集成电路的硅上硬化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果。发光器件是在外延迁移以后流片制作的,克服了光子器件的对准问题,可与电子器件大规模集成。
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文献信息
篇名 外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs/GaAlAsDHLED
来源期刊 上海微电子技术和应用 学科 工学
关键词 外延迁移 发光二级管 光电子集成
年,卷(期) 1996,(3) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 14-16
页数 3页 分类号 TN383.04
字数 语种
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1996(0)
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研究主题发展历程
节点文献
外延迁移
发光二级管
光电子集成
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
上海微电子技术和应用
季刊
1006-9453
31-1239/TN
上海市胶州路397号 上海半导体器件研究
出版文献量(篇)
435
总下载数(次)
3
总被引数(次)
0
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