外延迁移技术制作用于光电子单片集成的Si上GaAs／GaAlAsDHLED

• 作者: 肖德元 郭康瑾
• 来源期刊: 上海微电子技术和应用
• 学科: 工学
• 关键词: 外延迁移 发光二级管 光电子集成 硅
• 年，卷（期）: shwdzjshyy_1996,（3）
• 页码范围: 14-16
• 页数: 3页
• 分类号: TN383.04

摘要

描述了在国内首次采用外延迁移技术研制适合于制作光电子集成电路的硅上硬化镓双异质结发光二极管的工艺过程及实验结果。发光器件是在外延迁移以后流片制作的，克服了光子器件的对准问题，可与电子器件大规模集成。