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电子材料快报1995年第6期出版文献
出版文献量(篇)
576
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1
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电子材料快报
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主办单位:
天津电子材料研究所
ISSN:
CN:
出版周期:
月刊
邮编:
300192
地址:
天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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576
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目录
1.
金属有机分子束外处GaAs性能的改进
作者:
云长
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
1
摘要:
2.
掺镁GaN的强存储效应研究
作者:
未休
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
2-3
摘要:
3.
超分辨率新型光盘
作者:
张忱
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
3-4
摘要:
4.
在GaAs上生长P型ZnTe层
作者:
庶民
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
4-5
摘要:
5.
MOCVD生长铁电薄膜Pb(Zr,Ti)O3
作者:
义仡
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
5-6
摘要:
6.
在退火的硅基片上生长GaAs
作者:
义仡
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
6-7
摘要:
7.
具有可见光荧光的纳米锗石英玻璃复合材料的溶胶法合成
作者:
褚连青
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
7-8
摘要:
8.
一种新型重复记录材料—InSb薄膜
作者:
云长
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
8-9
摘要:
9.
新方法生长半绝缘InP基外延层
作者:
黄义贞
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
10-11
摘要:
10.
KNbO3薄膜的生长
作者:
张忱
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
11-12
摘要:
11.
薄膜CuInSe2的局域结构
作者:
郝建民
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
13-14
摘要:
12.
高频辉光放电能提高微晶硅的晶粒尺寸和沉积速率
作者:
青春
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
13
摘要:
13.
Cu/TiN/Si(100)异质结的脉冲激光沉积与性能
作者:
青春
刊名:
电子材料快报
发表期刊:
1995年6期
页码: 
15-16
摘要:
电子材料快报基本信息
刊名
电子材料快报
主编
曾用名
主办单位
天津电子材料研究所
主管单位
出版周期
月刊
语种
ISSN
CN
邮编
300192
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天津(南)科研西路20号(天津55信箱)
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