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电子材料快报
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天津电子材料研究所
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94. 红外器件用InSb体单晶刊名： 电子材料快报发表期刊： 1999年8期页码:摘要：
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98. GaAs体单晶生长概述刊名： 电子材料快报发表期刊： 1999年9期页码:摘要：
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101. 在Ⅲ族氮化物生长中氢的作用刊名： 电子材料快报发表期刊： 1999年9期页码:摘要：
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103. 在氢钝化Si（100）上C60膜的损伤刊名： 电子材料快报发表期刊： 1999年9期页码:摘要：
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105. W（110）表面上的WSi2单晶生长刊名： 电子材料快报发表期刊： 1999年9期页码:摘要：
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106. SiGe／Si中等离子体分散效应及其应用刊名： 电子材料快报发表期刊： 1999年9期页码:摘要：
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108. GaAs体单晶生长概述刊名： 电子材料快报发表期刊： 1999年10期页码:摘要：
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109. FeRAM用强介电体材料刊名： 电子材料快报发表期刊： 1999年10期页码:摘要：
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110. 特大直径硅单晶的性质研究刊名： 电子材料快报发表期刊： 1999年10期页码:摘要：
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113. 富Ge GeSi体单晶中浅受主刊名： 电子材料快报发表期刊： 1999年10期页码:摘要：
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116. SiC的液相外延生长刊名： 电子材料快报发表期刊： 1999年10期页码:摘要：
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电子材料快报基本信息
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| 主办单位 | 天津电子材料研究所 | 主管单位 | |
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