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半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年1期页码:摘要： 本文提出了一种新的 CMOS OTA 电路。该电路由两部分组成,第一部分采用线性化对称差动输入级;第二部分是一个偏置于亚阈值区的传统 OTA。SPICE 模拟表明;当电源电压为±5V,控制电...
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2. 关于硅表面的直接氮化刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年1期页码:摘要： 本文结合自已的工作实践简要评述了硅直接氮化的研究进展。热氮化或等离子体增强热氮化硅膜的自限制生长及准饱和厚度(一般≤100)可以用来制备超薄栅绝缘物。等离子体阳极氮化技术,用 CF_4和 ...
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3. 多孔硅制备工艺的研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年1期页码:摘要： 多孔硅的发光性能与其制备工艺密切相关，本文着重讨论了阳极氧化技术、表面再处理、硅衬底的电学性质等因素对多孔硅质量的影响，给出了合适的工艺条件。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年1期页码:摘要： 本文论述了多值调制数字微波通信系统中的 MMIC 技术。首先简述:多值调制数字微波通信系统之迅速发展及其基本构成;引入 MMIC 及采用芯片结构之原因;当前这种系统用的MMIC 模块之实用化...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年1期页码:摘要： 本文从半导体量子阱的量子限制效应出发,研究了布里渊区中的多能谷效应。应用这一模型导出了超晶格中的谐波直接带隙,从而解释了锗硅应变超晶格发光特性,由此设计出优化的锗硅应变超晶格结构。进而讨论了...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年1期页码:摘要： 分形理论(Fractal Theory)创立于70年代中期,其研究对象为自然界和社会活动中广泛存在的无序(无规则)而具有自相似性的系统。分形论借助相似性原理洞察隐藏于混乱现象中的精细结构;为...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年1期页码:摘要： <正> 4.3 LBT 的一般设计考虑和实验与理论的比较依照以上精确模型所给出的有关公式,LBT 的一般设计程序如下。在直流设计方面主要考虑三个特性参数,即:V_P,I_P,和 V_V,对于...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年1期页码:摘要： <正> 二、量子细线与量子点微结构中的电子输运除了微小隧道结外,具有二维和三维量子封闭性的量子细线与量子点,也是一类典型的介观体系。如同具有一维量子封闭性的超晶格异质结一样,电子输运现象也是...
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9. 微弱光探测器件的设计考虑刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 制作了具有分离外保护环结构的硅光电二极管，这种结构的中心区域为光敏感区，与中心区周边相距５０μｍ处制作了宽度为３０μｍ的外保护环区。当器件应用时，可将外保护环二极管短路，中心区作光探测。这样...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 本文对适于半导体生长的固相，液相，气相的热平衡系统的喀喇氏温度定理作了进一步更严格的证明。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 本文首先论述当前因态微波，毫米波器件的总体发展特点及各种固态微波，毫米波三端器件的可用频率发展水平，最后，对这类器件及其ＭＩＭＩＣ的国内外技术发展水平进行定量对比研究，明确其差距，透视其方向...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 分形概念已被广泛地应用于哲学，自然科学和社会科学的许多领域，本文介绍材料中若干分形凝聚模型，包括扩散限制凝聚模型、动力学集团凝聚模型和扩散与反应凝聚模型，在此基础上着重讨论半导体中的分形研究...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 半导体超晶格微结构中的多能谷效应（２）薛舫时（半导体超晶格国家重点实验室和南京电子器件研究所２１００１６）六、异质谷间转移电子效应和Ｘ电子发生器ＧａＡＳ是直接带隙材料，它的导带底位于布里渊区...
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14. 三端电压控制型负阻器件（6）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 三端电压控制型负阻器件（６）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第六章新型“∧”负阻晶体管［２１］新型“∧”负阻晶体管（ＮｅｗＬａｍｂｄａＮｅｇａｔｉｖｅ－ＲｅｓｉｓｔａｎｃｅＴｒａｎｓ...
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15. 高亮度GaN系蓝色发光二极管刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 本文就高亮度ＧａＮ系蓝色发光二极管研制中的主要问题加以概述，最后对ＧａＮ系蓝色半导体激光器的发展做了展望。
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16. 半导体超晶格物理与器件（16）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年2期页码:摘要： 半导体超晶格物理与器件（１６）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）三、纳米半导体结构的光学性质所谓纳米半导体结构一般是指结构尺寸为几～几＋ｎｍ的低维量子体系。目前研究最活跃的有采用...
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17. 增强吸杂的研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 研究了增强吸杂技术，它利用淀积在硅片背面的多晶硅的晶格无序和晶粒间界而起杂质吸除作用，同时它又能增强硅中的内吸杂。本文介绍利用ＰＬＣＶＤ淀积多晶硅制备吸杂硅片的工艺。并通过ＯＳ法，ＭＯＳ产生...
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18. MOS型反相器刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文提出一种ＭＯＳ型反相器电路，并分析了电路的工作原理，ＳＰＩＣＥ模拟表明，在±５Ｖ电源电压，输入±３．６Ｖ范围内，非线性误差小于±０．４８％。文中还给出了这 种反相器的应用实例。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文采用清华大学ＱＳＷ－３０７５快速热处理设备对Ｓｉ＾＋，Ａｓ＾＋双离子注入半绝缘ＧａＡｓ进行了快速热退火研究。结果表明，在适当条件下退火，注入杂质有高的激活效率，并且杂几乎没有因高温退火引...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 限于金属电极，本文讨论了单重态激子Ｓ１在蒽界面的离解和三重态激子Ｔ１在蒽体内光去俘获的离解，并试图建立两个统一方程，其一用以描述Ｓ１离解过程中不同状态时的动力学特性，其二用以描述Ｔ１离解后不...
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21. PtSi／Si整流接触的研究刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文对是ＰｔＳｉ／Ｓｉ整流特性的接触进行了详细研究，并试制成功ＰｔＳｉ／ｐ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ两种用途不同的肖特基势垒二极管。
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22. 基于人工神经网络的A／D转换器刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文讨论了人工神经网络Ａ／Ｄ转换器的基本原理，并评述了两种类型的人工神经网络Ａ／Ｄ转换器；在此基础上提出了一种智能Ａ／Ｄ转换器的实现方案。
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23. 量子阱半导体激光器发展动态刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 综述了近几年来国外在量子阱半导体激光器方面的开发现状，着重阐述了在提高器件性能方面获得低阈值电流，降低α参数和线宽的重要性。
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24. 三端电压控制型负阻器件（7）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 三端电压控制型负阻器件（７）郭维廉（天津大学电子工程系３０００７２）第八章电压控制负阻ＭＯＳ器件［２’ｊ电压控制负阻ＭＯＳ器件（Ｖｏｌｔａｇｅ－ＣｏｎｔｒｏｌｌｅｄＮｅｇａｔｉ、Ｒｅｓｉｓｔ...
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25. 宽禁带半导体金刚石材料与功率器件刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文介绍宽禁带半导体金刚石材料的结构、物理特性、器件结构和制备工艺，并根据材料的特性参数，给出金刚石功率器件频率与功率性能预测，与Ｓｉ，ＧａＡｓ等材料进行了比较。最后指出金刚石半导体器件实用...
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26. 金属／半导体材料中的分形结构刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 本文全面而概括地介绍金属／非晶半导体材料中分形结构的产生机制及其研究领域。
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27. 半导体超是昌格物理与器件（17）刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年3期页码:摘要： 半导体超晶格物理与器件（１７）彭英才（河北大学电子与信息工程系０７１００２）第五章量子效应器件量子效应器件是指利用超晶格、量子以、量子线和量子点等微结构和超微结构所具有的各种量子化效应设计和...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 本文综述了近年来砷化镓材料质量表征技术的新进展，包括半绝缘砷化镓体单晶和外延薄膜材料两个方面。着重指出了材料表征技术时材料研制和器件应用的重要作用。
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29. 深能级及其在发光研究中的应用刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 本文介绍了三种测量深能级的基本方法－深能级瞬态能谱（ＤＬＴＳ）、光致发光（ＰＬ）、光电容（ＰＣ）及用它们研究不同发光材料和器件的结果，其中包括发光二极管的效率和退化过程、ＧａＮ材料中蓝色发光...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 1995年4期页码:摘要： 本文对Ａｕ／ＡｕＧｅＮｉ／ｎ－ＧａＡｓ欧姆接触进行了三种不同的应力试验：（１）高温存储（ＨＴＳ），（２）常温大电流（ＨＣ），（３）高温适当电流。试验结果表明，三种试验均造成了实验后期欧姆接触...
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
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| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
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