关于硅表面的直接氮化

• 作者: 刘春荣 徐志元
• 来源期刊: 半导体杂志
• 学科: 工学
• 关键词: 硅 热氮化 等离子体 阳极氮化
• 年，卷（期）: 1995,（1）
• 页码范围: 6-10
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.05

摘要

本文结合自已的工作实践简要评述了硅直接氮化的研究进展。热氮化或等离子体增强热氮化硅膜的自限制生长及准饱和厚度(一般≤100)可以用来制备超薄栅绝缘物。等离子体阳极氮化技术,用 CF_4和 H_2等离子体对硅表面的自然氧化层进行预刻蚀后大大提高了薄膜生长效率。突破了热氮化的准饱和厚度,降低了反应温度。该方法可用于生长较厚的氮化硅膜。