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出版文献量（篇）
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1404
半导体杂志
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主办单位：
电子部天津电子材料研究所
天津市电子学会
ISSN：
1005-3077
CN：
12-1134/TN
出版周期：
季刊
邮编：
300192
地址：
出版文献量（篇）
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 研究了Ｓｉ＾＋和Ｓｉ＾＋／Ａｓ＾＋注入到Ｈｏｒｉｚｏｎｔａｌ Ｂｒｉｄｇｍａｎ（ＨＢ）和Ｌｉｑｕｉｄ Ｅｎｃａｐｓｕｌａｔｅｄ Ｃｚｏｃｈｒａｌｓｋｉ（ＬＥＣ）方法制备的半绝缘ＧａＡｓ...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 在建立的理论模型基础之上，定量地分析了ＥＬ２能级对ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压的影响，指出位于本征费米能级以下的ＥＬ２能级是影响ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ夹断电压大小的主要因素，ＥＬ２能级...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 利用随机脉冲尾注差原理，导出了二进制两路尾数求差的计算法。在不增加门速度的前提下，从根本上解决了随机脉冲因交叠所产生的计数错误。另外，在设计集成电路组件时，内部增设超前进位专用加法器电路，从...
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 介绍了一种适用于高速数据跳频通信系统的新型频率合成器。详细分析了该频率合成器的工作原理、技术指标等，并且给出了具体的实施方案。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 在ＴＤＤ－ＴＤＭ终端设备中，彩和移位寄存器芯片４５１７Ｂ完成数字语音信号的压缩、扩张和存储的功能。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 在阅读大量锁相近十年发表的英文文献的基础上，对锁相环的设计及特性做了深入的分析，并对锁相环的主要部件相频检测器和压控振荡器的结构和特性做了比较和总结。
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刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 比较了双极－－ＭＯＳ功率半导体器件的五种基本构成方式；然后介绍该类器件发展的最新动态，着重阐述几种最新器件；最后分析预测了这类器件发展的方向。
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8. 低维半导体材料研究进展刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 综述了低维半导体材料的最新发展动态和发展趋势。
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9. 硅基量子点器件刊名： 半导体杂志发表期刊： 2000年3期页码:摘要： 硅基量子点器件由于其独特的性能以及和硅集成电路相容的特点成为研究的重点。量子点中电子和空穴强的量子限制作用使其表现出一些新颖的物理性能，从而在微电子和光电子器件方面有着重要的应用价值。本文介...
半导体杂志基本信息
| 刊名 | 半导体杂志 | 主编 | 孙膺九 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 电子部天津电子材料研究所 天津市电子学会 | 主管单位 | 天津市科委 |
| 出版周期 | 季刊 | 语种 |
chi
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| ISSN | 1005-3077 | CN | 12-1134/TN |
| 邮编 | 300192 | 电子邮箱 | |
| 电话 | 022-236153 | 网址 | |
| 地址 | 天津市河西区陈塘庄岩峰路 |
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