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半导体光电期刊
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22

半导体光电

Semiconductor Optoelectronics

CAJSTSACSTPCD

影响因子 0.5046
本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊  重庆市优秀期刊 
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
重庆市南坪花园路14号44所内
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
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  • 1. 全光缓存器的研究进展
    作者： 刘彦辉 刘爱民 吴重庆 董晖
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  217-221
    摘要： 综述了在全光传送网向以包交换为基础的全光交换网过渡的关键技术之一:全光缓存器的研究进展,介绍了各种全光缓存器的原理、性能,并讨论了其发展方向.
  • 2. 用于相控阵天线的光纤真延时技术
    作者： 杨清宗 王颖
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  222-227
    摘要： 光真延时是对相控阵天线进行光控的一种重要手段.文章介绍用于相控阵天线的光纤真延时技术和各种真延时结构.
  • 3. 光纤电压传感器最新进展
    作者： 吴重庆 唐丽杰 尚玉峰 张勇
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  228-232
    摘要： 综述了光纤电压传感器近年来国内外的最新研究进展,包括可用于SF6绝缘高压开关的光纤电压传感器、频率调制型的光纤电压传感器以及光控灵敏度的光纤电压传感器.介绍了国内在光纤电压传感器方面的研究进...
  • 4. 光纤中的互相位调制效应及其应用
    作者： 刘宏展 曹文华 袁明辉
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  233-237
    摘要： 单模光纤中的互相位调制是一种很重要的非线性光学效应.在介绍互相位调制原理的基础上,系统地综述了其应用情况,指出了应用中存在的一些问题,以及若干情况下互相位调制效应对系统性能的不利影响.
  • 5. 信息高速处理与光电子技术
    作者： 李海华 王遵立
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  238-240
    摘要： 本文从技术角度深入分析了信息载体技术从微电子技术向光电子技术跨跃的根源,提出光电子技术的发展重心之一是信息高速处理.
  • 6. 六路小型集成光电耦合器
    作者： 刘旺杰 张怡 李应辉 蒋城
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  241-244
    摘要： 介绍了一种新型六路小型集成光电耦合器.它采用独立腔体分隔技术,在24DIP陶瓷双列直插管座内制作而成,设计先进、性能可靠,具有广阔的应用前景.重点叙述了该器件的结构特性、工作原理、参数设计以...
  • 7. 一定可视角的超高亮度蓝光LED
    作者： Densen Cao 李正庭 杜国同 杨树人 殷宗友
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  245-246
    摘要： 报道了封装大芯片InGaN/GaN蓝光发光二极管(LED)的实验结果.在室温下,正向电压为3.3V和电流为350mA时,其轴向亮度为16×104cd/m2,可视角为98°.
  • 8. 1.55μm InGaAsP/InP超辐射发光二极管组件
    作者： 朱志文 李金良
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  247-249
    摘要： 1.55μm InGaAsP/InP 超辐射发光二极管组件是为高精度光纤陀螺研制的光源.组件采用标准14针双列直插式管壳,熊猫型保偏光纤对准耦合,激光焊接,全金属化耦合封装.为了获得高输出...
  • 9. LD泵浦单频Nd:YVO4绿光激光器
    作者： 叶子青 周城 郑权 钱龙生
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  250-252
    摘要： 采用复合腔与布氏片相结合的方式实现单纵模的有效选取,LD采用紧贴式端面泵浦,通过精密调控Nd:YVO4、KTP及泵浦源LD的温度以达到有关参数的最佳匹配,从而实现了稳定的单频绿光输出.在抽运...
  • 10. 电子传输层厚度对LiBq4蓝色有机电致发光器件的影响
    作者： 吴有智 张志林 张步新 朱文清 蒋雪茵 许少鸿 郑新友
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  253-256,276
    摘要： 制备了以LiBq4为发光层,结构为ITO/CuPc/TPD/LiBq4/Alq3/LiF/Al的器件.器件的电致发光(EL)光谱与LiBq4薄膜的光致发光(PL)光谱相同,峰值波长均为492...
  • 11. L型硅光敏三极管
    作者： 王波 谢顺坤
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  257-258,270
    摘要： 介绍了L 型硅光电三极管的设计、工作原理、实验及结果.制作出的高灵敏度、探测率大的L型硅光敏三极管,其每个光敏元的响应率最大值为1.2×105V/W,探测率最大值为4.5×105 cm*H...
  • 12. 980nm半导体激光器远场特性的优化
    作者： 刘莹 廉鹏 张丽 徐晨 杜金玉 沈光地 王东凤 邹德恕 韩金茹 高国
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  259-261
    摘要： 制作小功率半导体激光器时,为了减小阈值电流,提高斜率效率,一般都采用深腐蚀法形成脊形结构以克服电流横向扩展.但是由于工艺的原因,往往使得激光器远场特性恶化,特别是水平发散角θ//形成多瓣.研...
  • 13. 双绝缘层MIMIS隧道结发光性能的研究
    作者： 刘柯林 唐洁影 聂丽程
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  262-266
    摘要： 介绍了一种新型光电器件,即双绝缘层MIMIS隧道发光器件的结构和制备.根据量子力学隧穿共振效应解释了该结构发光光谱的特点,利用俄歇谱仪和原子力显微镜分析了器件失效的原因,对进一步优化双绝缘层...
  • 14. TiN及AlN薄膜的制备和光学性能研究
    作者： 李佐宜 李震 林更琪 熊锐 王浩敏
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  267-270
    摘要： 研究了反应溅射法制备AlN、TiN薄膜的工艺过程,摸索了用于磁光盘介质层的AlN、TiN薄膜的最佳制备工艺,并研究了采用此工艺制备的AlN、TiN薄膜的光学性能.
  • 15. Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响
    作者： 元光 周天明 宋航 李树玮 缪国庆 蒋红 金亿鑫
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  271-273
    摘要： 介绍了利用LPMOCVD技术在InP衬底上生长In0.53Ga0.47As材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了Ⅴ/Ⅲ比对表面形貌、结晶质量、电学质量的影响.在...
  • 16. 大电流密度器件的欧姆接触
    作者： 杨雪梅
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  274-276
    摘要： 根据大电流密度器件对欧姆接触的要求,研究了如何获得高质量的Ti-Ni-Ag欧姆接触层的方法,并成功应用于生产.
  • 17. 提高超微粒乳剂分辨率的研究
    作者： 史飞 喻洪麟 陈燕
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  277-278
    摘要： 对提高超微粒乳剂分辨率的问题进行了讨论,分析了影响分辨率的因素,提出了相应的解决办法.
  • 18. 用AC1056实现对雪崩光电二极管温漂的偏压补偿
    作者： 刘颖 邹建 魏康林
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  279-281
    摘要： 雪崩光电二极管(APD)的增益严重地受到温度的影响.AC1056是一款多功能的12位A/D板,具有A/D转换和D/A控制的功能.利用它得到了具有相当精度的对APD偏压和温度的采集和具有高精度...
  • 19. 光电设备应用中的可靠性问题研究
    作者： 周冰 张雏 段晓峰 牛燕雄
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  282-284
    摘要： 分析了影响光电设备非工作期和工作期可靠性的因素,以及这些因素对光电设备各构成部分的不同影响,给出了提高光电设备应用可靠性的一些方法.
  • 20. 带采样保持功能的CCD驱动脉冲的设计方法
    作者： 李江昊
    刊名： 半导体光电
    发表期刊： 2002年4期
    页码:  285-288
    摘要： 介绍了CCD的内部采样原理和应用EDA技术设计其驱动脉冲电路的原理,阐述了设计方法,同时就几种采样脉冲的产生方法及对输出信号的影响进行了研究,给出了电路仿真波形和CCD的实际输出波形.

半导体光电基本信息

刊名 半导体光电 主编 江永清
曾用名
主办单位 重庆光电技术研究所  主管单位 中国电子科技集团公司
出版周期 双月刊 语种
chi
ISSN 1001-5868 CN 50-1092/TN
邮编 400060 电子邮箱 soe@163.net
电话 023-62806174 网址 www.semiopto.net
地址 重庆市南坪花园路14号44所内

半导体光电评价信息

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