Ⅴ/Ⅲ比对InGaAs/InP的LPMOCVD生长的影响

• 作者: 元光 周天明 宋航 李树玮 缪国庆 蒋红 金亿鑫
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 工学
• 关键词: 铟镓砷 Ⅴ/Ⅲ比 低压金属有机化学气相沉积
• 年，卷（期）: 2002,（4）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 271-273
• 页数: 3页
• 分类号: TN304.055
• 字数: 978字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1001-5868.2002.04.015

摘要

介绍了利用LPMOCVD技术在InP衬底上生长In0.53Ga0.47As材料,获得表面平整、光亮的In0.53Ga0.47As外延层.研究了Ⅴ/Ⅲ比对表面形貌、结晶质量、电学质量的影响.在Ⅴ/Ⅲ比较低时,表面粗糙,要获得镜面状的表面形貌,Ⅴ/Ⅲ比必须大于40.Ⅴ/Ⅲ比对外延层结晶质量有影响.迁移率和本征载流子浓度随着Ⅴ/Ⅲ比的增加而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	缪国庆	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	15	45	4.0	5.0
2	金亿鑫	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	12	54	5.0	6.0
3	蒋红	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	13	45	4.0	5.0
4	周天明	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	12	2.0	2.0
5	李树玮	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	2	12	2.0	2.0
6	元光	中国科学院长春光学精密机械与物理研究所	3	16	3.0	3.0