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半导体光电2008年出版文献
出版文献量（篇）
4307
总下载数（次）
22
半导体光电
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本刊是专业技术性刊物。刊载半导体光电器件、光通信系统和光传输、光存贮、光计算、处理技术，以及摄像、传感、遥感等方面的研究成果、学术论文、学位论文和工作报告，介绍光学、光子学、量子电子学、光电子学领域的新材料、新结构、新工艺、新器件，报道国内外该领域的研究和发展方向。读者对象为半导体光电专业的科技人员和大专院校师生。
主办单位：
重庆光电技术研究所
期刊荣誉：
信息产业部优秀电子期刊
重庆市优秀期刊
ISSN：
1001-5868
CN：
50-1092/TN
出版周期：
双月刊
邮编：
400060
地址：
出版文献量（篇）
4307
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22
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211. 大功率半导体列阵激光器的偏振复用技术研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 根据大功率半导体激光器输出光束的偏振特性,基于偏振复用的原理,分别利用双折射晶体和偏振合束晶体对两只大功率半导体线列阵激光器进行了偏振合束研究.依据理论计算结果,生长了双折射晶体YVO4,并...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 引入正弦平方势来描述掺杂超晶格由于交替掺杂引起的导带周期性调制,并提出了一种获得光学双稳态的新概念.指出了只须在超晶格量子阱的两端加上一个直流电场和交变电场,便可以用它作为光学双稳态器件.在...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 在介绍DVD光学头工作原理和伺服检测方法的基础上,提出了一种芯片面积小、输出失调电压低的单片集成的PDIC(Photo Detecting Integrated Circuit)的设计方案....
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 使用ANSYS有限元分析软件,对Y波导调制器在受到从室温降至-55℃的低温冲击时,光纤与波导耦合处的应力分布和弹性位移进行了模拟.将计算结果与实验数据进行了对比.分析表明,由于材料性质的差异...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 用电导数技术测量了高功率半导体激光器及阵列激光器的m值,讨论了影响m值大小的因素及与器件质量的相关性.结果表明,m值是器件质量和可靠性的重要标志之一,对于同种器件,质量好的器件的m值一定在某...
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216. 波长扩展InGaAs探测器的量子效率优化刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 通过建立双异质结型InGaAs探测器光响应的理论模型,分别对正面和背面进光时InP基波长扩展In0.8Ga0.2As/In0.79Al0.21As PIN探测器结构参数与光响应特性的关系进行...
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217. 左手材料介质平板波导的表面模刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 引入归一化频率、归一化传播常数和非对称量等参数,研究了衬底是左手材料的介质平板波导中的表面模,得到用归一化参数表示的色散关系.用解析法计算了色散曲线,结果表明,材料参数对左手材料平板波导色散...
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218. 位置敏感探测器的响应时间分析刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 位置敏感探测器(PSD)的响应时间直接影响其动态探测入射光位置的准确性.分析了电势堆积现象,以四边形二维PSD为例,建立了PSD响应时间的仿真模型,分析了对响应时间的影响因素.结果表明,PS...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用传输矩阵法对多量子阱结构导带子能级位置进行理论计算,确定其量子阱宽度、势垒高度等物理参数.用MBE设备进行GaAs/AlGaAs 多量子阱红外探测器结构材料的生长.利用傅里叶变换红外光谱...
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220. 聚合物太阳电池光敏薄膜的物理化学性质研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用不同化学溶剂制备了聚合物太阳电池的光敏层薄膜,通过接触角测试和表面自由能参数计算,研究了化学溶剂与光敏薄膜物理化学性质之间的关系.实验结果显示,用四氢呋喃溶液制备的光敏薄膜具有较大的表面...
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221. 两种可溶性对苯乙炔共聚物的制备和性能刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用强碱诱导的脱氯化氢缩合聚合法合成出两种可溶性不对称烷氧基取代聚对苯乙炔共聚衍生物聚[2-甲氧基-5-(3′-甲基)丁氧基对苯乙炔-co-2-甲氧基-5-辛氧基对苯乙炔][P(MOMBOP...
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222. 嵌入聚合物聚苯胺的多孔硅光致发光的研究刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 分别通过溶液法和阳极电化学腐蚀法制得聚苯胺(PANI)和多孔硅,并用匀胶机涂布法把聚苯胺嵌入到多孔硅中,观察了嵌入前后的样品的光致发光谱.实验结果表明,聚苯胺的嵌入增强了多孔硅的光致发光强度...
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223. 窄带缺陷模在入射角缓慢变化中的变化规律刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 用特征矩阵法研究了窄带缺陷模在入射角缓慢变化中的变化规律.结果表明:随着入射角的缓慢增大, 可以使s(或p)偏振光的缺陷模的强度由小变大,再由大变小,缺陷模的波长稍微变短,然后重复前边的变化...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 在2×10-3Pa真空度下,以酞菁铜(CuPc)、均苯四甲酸酐(PMDA)和二氨基二苯醚(ODA)为原料,通过控制三源单体的加入摩尔计量、加热时间和其沉积速率,在玻璃衬底上合成了含酞菁铜的聚...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用磁控溅射在自持CVD金刚石厚膜的成核面上制备了ZnO薄膜,并实验研究了其生长特性和发光特性随温度的变化情况.利用X射线衍射(XRD)仪,光致发光(PL)谱,电子探针(EPMA)和霍尔测量...
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226. 磁控溅射制备的氧化钒的椭偏光谱分析刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用直流反应磁控溅射工艺,在不同的沉积时间条件下(5～100min)制备了以单晶硅为衬底的氧化钒薄膜,用扫描电镜分析了薄膜结构的断面形貌.对氧化钒薄膜建立了椭偏色散模型[1],运用经典振子模...
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227. 光刻胶斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 分析了光刻图形侧墙斜坡对离子注入后图形特征尺寸的影响.采用工艺实验测定了斜坡处不同光刻胶厚度屏蔽离子注入的效率,并通过工艺监测确定g线光刻的图形侧墙斜坡角度.定量分析了g线光刻典型的斜坡角度...
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228. 折射率呈余弦变化的一维光子晶体带结构刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 用声学方法构造了折射系数呈余弦变化的一维光子晶体,并在介质无损耗、无电流、无磁性及各向同性假设下,把麦克斯韦方程化为一维薛定谔方程,当折射系数呈余弦变化时,薛定谔方程进一步化为了Mathie...
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229. CCD栅复合介质厚度对界面态的影响刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用正交试验方法进行了用于CCD栅复合介质的SiO2和Si3N4厚度的配比实验,研究了退火温度和退火气氛对复合介质界面态的影响,获得了最佳的复合介质SiO2与Si3N4的厚度配比,使得Si-...
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230. CCD制作中的PCM测试图形刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 针对CCD的结构和制作工艺特点,设计出适合CCD的过程控制监控(PCM)测试图形,通过对光刻分辨率、套刻精度、薄膜电容、孔电阻等进行监测,稳定了CCD的工艺水平,提高了CCD的良品率.
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 蓝光发光二极管(LED)芯片与黄色荧光粉组合,是一种实现白光LED的有效途径.采用粉浆法和光刻工艺,在蓝光LED芯片表面得到了一层平面黄色荧光粉层,实现了对荧光粉层的厚度和形状的控制,光谱测...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用低压金属有机化学沉积方法制备了InGaN/GaN多量子阱.变温PL测量发现,量子阱发光强度具有良好的温度稳定性,随着温度升高(10～300K),发光强度只减小到1/3左右.分析认为,In...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 以硫酸铜、氢氧化钠、葡萄糖为原料,室温固相合成了纳米氧化亚铜粉体;利用X-射线衍射(XRD)和透射电子显微镜(TEM)对所得氧化亚铜粉体进行了表征;研究了在紫外光和太阳光下,所得氧化亚铜粉对...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： N*-Sc*相变序铁电液晶器件具有半"V"字形电光特性,可实现连续灰度,并且自发极化值小、视角宽、响应时间为毫秒量级,适合TFT-LCD.控制分子层排列是获得良好器件性能的关键.深入分析了电...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 提出了Ga1-χInχNyAs1-y材料中组分比为整数且x:y≥4时,直接生长和完全退火后各二元化合键平均键长的统计模型.该模型首先计算特定组分超单胞的键统计分布.然后结合前人实验采用Gua...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 采用反应磁控溅射工艺,通过改变N2气流量,在Si衬底上沉积300nm厚TiN薄膜.用原子力显微镜(AFM)观察薄膜表面形貌,并根据分形理论予以定量表征.结果表明,TiN薄膜的溅射模式与分形维...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 为了研究远距离水平激光链路接收光强起伏的统计特性,进行了16km水平激光传输实验.介绍了大气闪烁的对数正态与伽马-伽马分布模型,根据实验结果分析了孔径接收下信号衰落的统计规律.实验结果表明:...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 目前,很多高性能光网络平台能为网格计算环境动态提供按需专用光路,以满足e-Science等上层应用的数据密集性需求.为了更有效共享和管理光网络的光路资源,提出了一个基于Web服务的光路封装及...
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239. 基于光码的标记扩展性分析刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 基于光码的多协议标记交换(OC-GMPLS),利用光码分复用(OCDM)技术,将基于波长的标记交换(MPλS)粒度进行了细分,扩大了标记空间;而二维光码增加了一个自由度,扩大了码容量.提出了...
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刊名： 半导体光电发表期刊： 2008年6期页码:摘要： 对GP大信号模型及其参数提取方法进行了研究,并对发射极尺寸为2μm×19μm的InP/InGaAs HBT进行了建模.模型的仿真结果表明,所建模型能较为精确地表征实际HBT器件的直流和高频小...
半导体光电基本信息
| 刊名 | 半导体光电 | 主编 | 江永清 |
| 曾用名 | |||
| 主办单位 | 重庆光电技术研究所 | 主管单位 | 中国电子科技集团公司 |
| 出版周期 | 双月刊 | 语种 |
chi
|
| ISSN | 1001-5868 | CN | 50-1092/TN |
| 邮编 | 400060 | 电子邮箱 | soe@163.net |
| 电话 | 023-62806174 | 网址 | www.semiopto.net |
| 地址 | 重庆市南坪花园路14号44所内 |
半导体光电评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 3. | 科学文摘(英) |
| 4. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 信息产业部优秀电子期刊 |
| 2. | 重庆市优秀期刊 |
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