InGaN/GaN多量子阱的变温发光特性研究

• 作者: 吴正云 姚建明 孔令民 宿刚 张野芳 李鼎 薛江蓉
• 来源期刊: 半导体光电
• 学科: 物理学
• 关键词: InGaN/GaN多量子阱 光致发光 时间分辨谱
• 年，卷（期）: 2008,（6）
• 所属期刊栏目: 材料、结构及工艺
• 页码范围: 909-912
• 页数: 4页
• 分类号: O472.3
• 语种: 中文

摘要

采用低压金属有机化学沉积方法制备了InGaN/GaN多量子阱.变温PL测量发现,量子阱发光强度具有良好的温度稳定性,随着温度升高(10～300K),发光强度只减小到1/3左右.分析认为,InGaN/GaN多量子阱的多峰发光结构是由多量子阱的组分及阱宽的不均匀引起的.随着温度升高,GaN带边及量子阱的光致发光均向低能方向移动,但与GaN带边不同,量子阱发光峰值变化并不与通过内插法得到的Varshni经验公式相吻合,而是与InN带边红移趋势一致,分析了导致这种现象的可能因素.还分析了量子阱发光寿命随温度升高而减小的原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张野芳	浙江海洋学院数学系	4	20	2.0	4.0
2	吴正云	厦门大学物理系	33	190	7.0	12.0
3	孔令民	浙江海洋学院物理系	18	30	2.0	4.0
4	姚建明	浙江海洋学院物理系	10	23	2.0	3.0
5	宿刚	浙江海洋学院物理系	5	12	2.0	3.0
6	李鼎	浙江海洋学院物理系	1	2	1.0	1.0
7	薛江蓉	浙江海洋学院物理系	6	12	2.0	3.0