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微纳电子技术

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Micronanoelectronic Technology

曾用名：半导体情报(1964-2001)

AJ SA CSTPCD

影响因子 0.4364

《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。创刊4年以来，汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体，通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向，为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多

主办单位：

中国电子科技集团公司第十三研究所

期刊荣誉：

俄罗斯《AJ》收录 美国《剑桥科学文摘》收录 英国《SA》,INSPEC数据库收录

ISSN：

1671-4776

CN：

13-1314/TN

出版周期：

月刊

邮编：

050002

地址：

石家庄市179信箱46分箱

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热门刊内文献

年度刊次

121. Ⅲ-Ⅴ族磁半导体材料的研究与进展

作者：梁春广闫发旺

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 2-7

摘要： Mn、Fe等过渡金属元素的Ⅲ-V族稀磁半导体(DMS)材料和铁磁/半导体异质结材料由于具备半导体和磁性材料的综合特性,可望广泛应用于未来的磁(自旋)电子器件,从而使传统的电子工业面临一场新的...
122. 可达到40Gb/s的材料选择:SiCe与GaAs和InP的比较

作者：何君

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 8-12

摘要：对可达到2.5～40Gb/s数据速率的SiGe与GaAs和InP材料进行了比较,还对各种材料和工艺的典型特征进行了分析.
123. GaN系量子阱器件的研究进展

作者：叶志镇李嘉炜王宇

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 13-17

摘要：介绍了在蓝宝石衬底和ELOG(外延横向过生长)衬底上生长的InGaN量子阱LED和LD结构,并描述了LED和LD的器件应用.
124. 半导体量子阱材料

作者：张臣

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 18-21

摘要：综述了半导体量子阱材料的最新发展动态和发展趋势.
125. 用于光通信的GaAs集成电路

作者：成英

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 22-24,58

摘要：介绍了用于10Gb/s光传输系统前端模块的超细栅GaAs FET器件的制作技术以及制作的数/模IC芯片组.
126. 基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As

作者：刘力锋杨瑞霞郭惠

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 25-30,35

摘要：介绍了一种基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As,包括(Ga,Mn)As的制备方法、结构特性、磁性质及磁输运性质.最后,展望了(Ga,Mn)As的应用前景.
127. 我国半导体硅材料的发展现状

作者：肖顺珍蒋荣华

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 31-35

摘要：叙述了我国半导体硅材料的发展现状及与国外相比存在的差距,提出了发展我国硅材料的一些建议.
128. 深亚微米同步辐射x射线光刻模拟

作者：叶甜春李兵胥兴才谢常青陈大鹏

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 36-38,44

摘要：用束衍生法研究了深亚微米同步辐射x射线光刻中掩模吸收体的光导波效应,并对x射线光刻后的光刻胶剖面进行了理论计算.采用面向对象技术,研制了一个取名为XLLS1.0的模拟软件.本文对这个软件进行...
129. 多晶硅太阳电池的氮化硅钝化

作者：于化丛奚建平杨宏王鹤陈光德

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 39-41,51

摘要：全面介绍了等离子增强化学汽相沉积(PECVD)纳米氮化硅(SiNx:H)光电薄膜的技术发展及现状,分析了PECVD法沉积的SiNx:H薄膜对多晶硅太阳电池的体钝化和表面钝化机理.
130. 单场限环的平面高压器件

作者：汪德文范英杰邱海昌

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 42-44

摘要：通过优化设计和充分利用硅片面积,研制出了场限环的平面高压半导体分立器件.
131. FRGPP管芯的研制

作者：庄明虔

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 45-46

摘要：在普通玻璃钝化管芯工艺基础上研制出了快速恢复玻璃钝化管芯.重点分析快速恢复玻璃钝化(FRGPP)二极管管芯制造过程中扩散工艺的调整、玻璃粉的选择以及LPCVD工艺的必要性.
132. AlGaN/GaN二维电子气的特性研究

作者：薛舫时

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 47-51

摘要：应用AlGaN/GaN异质结中的压电极化和自发极化边界条件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,求出了异质结能带和二维电子气分布.研究了势垒层组分比、势垒层宽度、沟道层掺杂和栅电压变化对二维电子气...
133. GaN的低压MOCVD生长模型

作者：杨红伟章麒麟闫发旺

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 52-54

摘要：用停滞边界层理论分析了低压MOCVD外延GaN的生长模型.通过优化反应室结构和工艺条件,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的GaN外延层.
134. 磁控溅射中生长参数对氧化锌薄膜性能的影响

作者：叶志镇邹璐

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 55-58

摘要：介绍了氧化锌的应用和制备方法,着重研究了磁控溅射中各生长参数如衬底温度、氧分压及工作压强对氧化锌薄膜结晶质量和电学性能的影响.
135. RF/微波业常用简写及缩写(六)

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 59-60

摘要：
136. 中韩合资企业富社三佳机械有限公司竣工投产

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 61

摘要：
137. MEMS产业成熟,巨大商机在即

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 61

摘要：
138. 2001年总目次

作者：

刊名：微纳电子技术

发表期刊： 2001年6期

页码: 62-63

摘要：

微纳电子技术基本信息

刊名	微纳电子技术	主编	李和委
曾用名	半导体情报(1964-2001)
主办单位	中国电子科技集团公司第十三研究所	主管单位	中华人民共工业和信息化部
出版周期	月刊	语种	chi
ISSN	1671-4776	CN	13-1314/TN
邮编	050002	电子邮箱	wndz@vip.sina.com
电话	0311-87091487	网址	www.wndz.org
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