多晶硅太阳电池的氮化硅钝化

• 作者: 于化丛 奚建平 杨宏 王鹤 陈光德
• 来源期刊: 半导体情报
• 学科: 工学
• 关键词: 等离子增强化学汽相沉积 太阳电池 氮化硅
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 工艺技术
• 页码范围: 39-41,51
• 页数: 4页
• 分类号: TN3
• 字数: 2508字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2001.06.010

摘要

全面介绍了等离子增强化学汽相沉积(PECVD)纳米氮化硅(SiNx:H)光电薄膜的技术发展及现状,分析了PECVD法沉积的SiNx:H薄膜对多晶硅太阳电池的体钝化和表面钝化机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨宏	西安交通大学太阳能研究所	21	370	11.0	19.0
2	王鹤	西安交通大学太阳能研究所	19	251	9.0	15.0
3	陈光德	西安交通大学太阳能研究所	65	517	13.0	18.0
4	于化丛	上海交通大学纳米研究院	7	54	5.0	7.0
5	奚建平	上海交通大学纳米研究院	5	39	4.0	5.0