AlGaN/GaN二维电子气的特性研究

• 作者: 薛舫时
• 来源期刊: 半导体情报
• 学科: 工学
• 关键词: 异质结能带 二维电子气 结构设计
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 所属期刊栏目: 研究探讨
• 页码范围: 47-51
• 页数: 5页
• 分类号: TN3
• 字数: 3042字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1671-4776.2001.06.013

摘要

应用AlGaN/GaN异质结中的压电极化和自发极化边界条件自洽求解了薛定谔方程和泊松方程,求出了异质结能带和二维电子气分布.研究了势垒层组分比、势垒层宽度、沟道层掺杂和栅电压变化对二维电子气特性的影响.着重研究了栅电压对二维电子气特性的控制作用,提出了使用薄势垒和重掺杂沟道的新HFET结构.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	薛舫时		30	154	7.0	11.0