微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年11期
    页码:  48
    摘要:
  • 作者: 万青 丰平 王太宏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年12期
    页码:  1-12
    摘要: 介绍了几种零维和一维无机半导体纳米结构的制备及其应用.其中,零维无机半导体纳米结构以Si,Ge量子点为代表,一维无机半导体纳米结构以碳纳米管、硅纳米线、氧化锌纳米线和氮化镓纳米结构为代表,介...
  • 作者: 李养贤 牛萍娟 郭维廉 陈乃金
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年12期
    页码:  13-15,21
    摘要: GaN材料是性能优越的化合物半导体,与其相关的合金材料可以制作出高亮度蓝光、绿光发光二极管、紫外探测器、半导体蓝色激光器(LD)等具有重要应用价值的光电子器件,因而备受重视,本文综述了GaN...
  • 作者: 庄贵生 赵建龙
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年12期
    页码:  16-21
    摘要: 介绍了PCR微芯片的最新研究进展,给出了不同结构的PCR芯片设计原理以及特点,介绍由PCR芯片为主要单元的集成微全分析系统的相关研究,同时简要介绍了对PCR的仿真模拟等.
  • 作者: 叶志镇 杨玲敏
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年12期
    页码:  22-25,32
    摘要: 概述了ZnO量子点的基本制备方法及生长特点,着重回顾了目前量子限制效应对ZnO量子点光电性能影响的研究进展.
  • 作者: 修向前 刘斌 张荣 施毅 朱顺明 毕朝霞 江若琏 沈波 谢自力 郑有炓 韩平 顾书林
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年12期
    页码:  26-32
    摘要: 由于具有独特的本征特性,InN材料已经成为最近两年国际上最热门的研究材料之一.本文介绍了InN材料的基本性质,探讨了材料的生长技术和应用方向.最后给出了InN材料今后发展急需解决的问题以及未...
  • 作者: 王小鹏 皇甫勇 陈花玲
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年12期
    页码:  33-35,40
    摘要: 介绍了MEMS器件封装技术发展的历史、作用及现状;概要阐述了本课题组研究的可体内降解的高分子材料新型给药微结构;最后,针对这种高分子材料给药微器件自身的特点,提出了一种新型微器件的真空热融封...
  • 作者: 王建华 肖滢滢 黄庆安
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年12期
    页码:  36-40
    摘要: 从理论推导分析了键合片的缺陷分布与Weibull模数m之间的关系.此关系与实验相符,并利用此关系很好地解释了硅片键合强度随退火温度变化的关系.
  • 作者: 夏善红 白强 邓凯 陈绍凤 龚超
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年12期
    页码:  41-44
    摘要: 设计并分析了一种新型的以硅为基底、聚酰亚胺为振动膜的微型电场传感器.此种传感器利用了聚酰亚胺耐热、耐腐蚀并具有良好机械性能的特点,采用MEMS技术制造,使其具备体积小、重量轻、功耗低、便于与...
  • 作者: 李惠军 薛振华
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年12期
    页码:  45-49
    摘要: 随着集成电路特征尺寸进入超深亚微米层次,互连线开始成为制约系统功能和可靠性的决定性因素.本文介绍了布局布线中的几种优化步骤:拥挤驱动布局、局部布局和搜索提炼、轨道分配和搜索修补.并结合Syn...
  • 作者: 苏景云
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年12期
    页码:  50-53
    摘要: 对原子力显微镜微悬臂变形进行了研究.微悬臂工作时的变形为大变形状态,由椭圆积分理论给出微悬臂大变形[1,2]时的垂直位移和水平位移的理论公式,为微悬臂的设计制造及针尖与样品间相互作用力的计算...
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年12期
    页码:  53
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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