微纳电子技术期刊
出版文献量(篇)
3266
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微纳电子技术

Micronanoelectronic Technology
曾用名: 半导体情报(1964-2001)

AJSACSTPCD

影响因子 0.4364
《微电子技术》以促进我国纳米电子技术不断发展为办刊目的。 创刊4年以来,汇集了纳米电子、机械、材料、制造、测量以及物理、化学和生物等不同学科新生长出来的微小和微观领域的科学技术群体,通过报道国内外纳米电子技术方面的研究论文和综述动态,为纳米研究领域的技术人员提供纳米技术领域新的突破方法和新的研究方向,为纳米技术领域中从事原始创新和基础探索的科研工作者、大学教师和学生提供了一个纳米电子技术成... 更多
主办单位:
中国电子科技集团公司第十三研究所
期刊荣誉:
俄罗斯《AJ》收录  美国《剑桥科学文摘》收录  英国《SA》,INSPEC数据库收录 
ISSN:
1671-4776
CN:
13-1314/TN
出版周期:
月刊
邮编:
050002
地址:
石家庄市179信箱46分箱
出版文献量(篇)
3266
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  • 作者: 牟颖 王楠 金钦汉
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  1-7
    摘要: 量子点因其独特的光学和电子学性质而具有很高的实用价值.本文概述了量子点的特性和制备方法,着重阐述了其在生命科学,尤其是免疫生物学和临床检验学中的应用进展,并对其发展进行了展望.
  • 作者: 张瑞君
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  8-13,22
    摘要: 光子晶体由于其优越特性而有极好的应用前景,不仅可使光通信领域产生新的变革,同时将对光电子领域及其他相关产业产生巨大的影响,并越来越受到广泛关注.本文介绍了光子晶体及根据其原理开发的光子晶体有...
  • 作者: 史友进 沈海军
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  14-19
    摘要: 介绍了纳米电子器件与纳米电子技术的概念以及纳米电子器件的分类;综述了现有的光刻、外延、SPM、特种精细加工等相关的纳米电子器件制备与加工技术;阐述了纳米电子技术中急需解决的若干关键问题.
  • 作者: 张跃
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  20-22
    摘要: 近年来研究人员已经把量子力学的原理与计算机相结合,提出了量子计算机概念和量子因特理论.本文编译指出了量子因特的重要基本组成部分之一是量子远程传输;介绍了几个利用光子对、光子束以及原子对等在实...
  • 作者: 李平 贾振斌 魏雨 鲁彬
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  23-25,37
    摘要: 利用粒度分析仪、TEM、XRD等表征手段,研究了溶胶-凝胶法制得的纳米TiO2溶胶经热压处理后,纳米TiO2的晶粒尺寸和晶型对其薄膜的光电催化活性的影响.结果发现,经过200℃热压处理的纳米...
  • 作者: 庄惠照 李忠 王书运 董志华 薛成山 高海永
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  26-29
    摘要: 利用射频磁控溅射法在Si衬底上先溅射ZnO缓冲层,接着溅射Ga2O3薄膜,然后ZnO/Ga2O3膜在管式炉中常压下通氨气进行氮化,反应自组生成GaN薄膜.XRD测量结果表明,利用该方法制备的...
  • 作者: 刘道广 杨银堂 汪家友 温梁
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  30-34
    摘要: 硅的高深宽比刻蚀技术是MEMS领域中的一项关键工艺.在硅片上形成高深宽比沟槽并拥有垂直侧壁结构是现在先进MEMS器件的一个决定性要求.本文分别介绍了国际上近年来使用F基和Cl2等离子体获得高...
  • 作者: 乔在祥 孙强 张建中 李昌进 王保民 肖志斌 陈文浚
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  35-37
    摘要: 介绍了高压微型砷化镓太阳电池的研究情况,研究了MOCVD砷化镓外延片的结构设计和制作,研究了高压微型砷化镓太阳电池串联结构设计和器件工艺的情况.研制的高压微型砷化镓太阳电池在1 cm2面积内...
  • 作者: 秦明 程海洋
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  38-43
    摘要: 针对CMOS二维风速风向传感器的工作原理,分析了传感器的控制电路及其特点,并根据该类传感器的特点,重点探讨了信号检测处理电路的形式和特点.拟采用恒温差或者温度平衡控制模式实现对加热器的控制,...
  • 作者: 姚若河 李斌 郑学仁 陈志坚
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  44-48
    摘要: 介绍了深亚微米CMOS器件基于电荷模型、基于表面势模型和基于电导模型的建模方法及其优缺点,并以BSIM系列模型为例,讨论了BSIM系列模型特点及半导体工艺发展对CMOS器件建模方法的影响.
  • 作者:
    刊名: 微纳电子技术
    发表期刊: 2004年6期
    页码:  48-48
    摘要:

微纳电子技术基本信息

刊名 微纳电子技术 主编 李和委
曾用名 半导体情报(1964-2001)
主办单位 中国电子科技集团公司第十三研究所  主管单位 中华人民共工业和信息化部
出版周期 月刊 语种
chi
ISSN 1671-4776 CN 13-1314/TN
邮编 050002 电子邮箱 wndz@vip.sina.com
电话 0311-87091487 网址 www.wndz.org
地址 石家庄市179信箱46分箱

微纳电子技术评价信息

期刊荣誉
1. 俄罗斯《AJ》收录
2. 美国《剑桥科学文摘》收录
3. 英国《SA》,INSPEC数据库收录

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